Vishay Intertechnology SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
制造商型号 :SQJ202EP-T1_GE3
达森型号 :77E4C9-DS
数据文档 :
SQJ202EP-T1_GE3 数据文档
SQJ202EP-T1_GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 8.946000 | ￥ 8.95 |
| 10+ | ￥ 7.348500 | ￥ 73.49 |
| 100+ | ￥ 5.712700 | ￥ 571.27 |
| 500+ | ￥ 4.837200 | ￥ 2418.6 |
| 1000+ | ￥ 3.942600 | ￥ 3942.6 |
库存: 8700
起订量 :1
包装 :PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 8.946
合计 :￥ 8.95
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:PowerPAK® SO-8 双
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:27瓦，48瓦
- 供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 双路非对称
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 漏源电压 ( Vdss):12伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:20 安培、60 安培
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6.5毫欧姆@15A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 22nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:975pF @ 6V
- 系列:汽车、AEC-Q101、TrenchFET®
- 基本产品编号:SQJ202
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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