总共 146

制造商
  • NXP Semiconductors

  • Onsemi

  • Rochester Electronics

  • Linear Integrated Systems

产品状态
  • 积极的

  • 过时的

工作温度
  • -55℃~150℃

  • -55℃~150℃(高温)

  • -55℃~125℃(温度范围)

  • 150°C(高温)

  • -65℃~175℃(环境温度)

  • -55°C ~ 200°C(太焦)

  • -55℃~135℃(高温)

安装类型
  • 通孔

封装/箱体
  • TO-243AA

  • SOT-23-6

  • TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

  • 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽)

  • 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米)

  • 8-VFDFN 裸露焊盘

  • 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米)

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)

  • TO-71-6 金属罐

  • TO-78-6 金属罐

  • TO-206AF, TO-72-4 金属罐

  • TO-206AA、TO-18-3金属罐

  • TO-78-7 金属罐

功率 - 最大
  • 500 毫瓦

  • 300 毫瓦

  • 1.8 瓦

  • 200 毫瓦

  • 400 毫瓦

  • 350 毫瓦

  • 360 毫瓦

供应商器件封装
  • 8-DIP

  • 16-DIP

  • SOT-89-3

  • SOT-23-6

  • SOT-23-3

  • 8-SOIC

  • 8-DFN(2x2)

  • TO-92

  • TO-71

  • TO-78-6

  • TO-72-4

  • TO-72

  • TO-78-7

  • TO-18-3

场效应晶体管类型
  • 2 个 N 通道(双)

  • 2 N 沟道

  • 4 N 沟道

  • N 沟道

  • P 沟道

漏源电压 ( Vdss)
  • 20 伏

  • 50 伏

  • 25 伏

  • 40 伏

  • 400 毫伏

输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds
  • 105pF@10V

  • 25pF@10V

  • 12pF@10V

  • 13pF @ 20V

  • 16pF @ 20V

  • 3pF@10V

  • 0.8pF @ 15V

  • 20pF @ 15V

  • 14pF @ 20V

  • 4.5pF @ 15V

  • 8pF@10V

  • 4pF@10V

  • 5pF@10V

  • 8pF@15V

  • 25pF @ 15V

  • 6pF @ 20V

  • 10pF @ 20V

  • 4pF@15V

  • 0.03pF @ 15V

击穿电压 ( V( B R) G S S)
  • 20 伏

  • 30 伏

  • 50 伏

  • 25 伏

  • 三十五 伏

  • 60 伏

  • 40 伏

电流 - 漏极 ( Idss) @ Vds ( Vgs=0)
  • 15 伏时 3 毫安

最大电流消耗 ( Id)
  • 50毫安

  • 25 毫安

电压 - 截止 ( V G S 关闭) @ Id
  • 500 毫伏 @ 20 微安

电阻—— R D S( On)
  • 100 欧姆

  • 300 欧姆

  • 250 欧姆

  • 150 欧姆

  • 75 欧姆

  • 50 欧姆

  • 60 欧姆

  • 85 欧姆

  • 38 欧姆

  • 30 欧姆

  • 35欧姆

  • 17 毫欧

  • 70 欧姆

  • 125 欧姆

系列
  • *

基本产品编号
  • J5A080

  • MMBF44

包装
  • 卷带式 (TR)

  • 切割胶带 (CT)

筛选结果:
型号制造商单价库存描述数据文档操作
Linear Integrated Systems¥ 0.00005635N 沟道 JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 12.11832520N 沟道 350mW 60Ω 40V SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 12.11832118N 沟道 350mW 60Ω 40V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 17.86222952300mW N 沟道 30V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 12.44351989N 沟道 350mW 50Ω 35V SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 12.4435764300mW N 沟道 30V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 27.27612317400mW N 沟道 40V SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 31.09732799350mW P 沟道 85Ω 30V SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 0.000018552低噪音、低电容、高
Linear Integrated Systems¥ 15.27992380300mW N 沟道 40V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 0.00003000低噪声、N 沟道 JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 0.00003000低噪声、N 沟道 JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 15.93031136N 沟道 350mW 40V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 0.00003000低噪声、N 沟道 JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 0.0000124876低噪音、低电容、高
Linear Integrated Systems¥ 0.00004363P 沟道、单、JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 31.35221720200mW P 沟道 - JFET
Linear Integrated Systems¥ 24.52062887350mW P 沟道 250Ω 30V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 17.02792911N 沟道 350mW 35Ω 25V SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 37.64492768200mW P 通道 SOT-23-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 37.64492250500mW 2 N 通道 25V SOIC-8 JFET
Linear Integrated Systems¥ 0.00007903N 沟道 JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 0.00003083超高输入阻抗 N-CHA
Linear Integrated Systems¥ 0.00004025超低噪声、低漂移、N-CH
Linear Integrated Systems¥ 26.5945576500mW N 沟道 35Ω 25V TO-18-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 27.31581727500mW N 沟道 35Ω 25V TO-18-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 0.00003556P 沟道、单、JFET 开关
Linear Integrated Systems¥ 30.19281001300mW N 沟道 60V TO-92 JFET
Linear Integrated Systems¥ 30.44691216500mW P 沟道 150Ω 30V TO-18-3 JFET
Linear Integrated Systems¥ 30.7927640300mW N 沟道 60V TO-72-4 JFET
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