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总共 3622 项

制造商

  • Ampleon

  • California Eastern Laboratories(CEL)

  • Flip Electronics

  • Renesas Electronics

  • Integra Technologies

  • IXYS Corporation

  • Microwave Technology

  • Nexperia

  • NTE Electronics

  • Solid State, Inc.

  • WAVEPIA Co., Ltd

  • International Rectifier(IR)

  • Broadcom®

  • Central Semiconductor

  • Infineon Technologies

  • Macom®

  • Microchip Technology

  • Motorola, Inc.

  • NXP Semiconductors

  • Onsemi

  • Rochester Electronics

  • Skyworks Solutions, Inc.

  • STMicroelectronics

  • Toshiba

  • Amplifier Solutions

  • Fairchild Semiconductor

  • Mini-Circuits®

  • Wolfspeed, Inc.

产品状态

  • 积极的

  • 过时的

  • 不适用于新设计

额定电压

  • 伏

  • 12 伏

  • 伏

  • 10 伏

  • 伏

  • 伏

  • 十四 伏

  • 4.5 伏

  • 20 伏

  • 四十八 伏

  • 七 伏

  • 三十二 伏

  • 110 伏

  • 十八 伏

  • 15 伏

  • 90 伏

  • 120 伏

  • 30 伏

  • 8 伏

  • 二十八 五

  • 4 伏

  • 7.5 伏

  • 十六 五

  • 5.5 伏

  • 11 伏

  • 170 伏

  • 十七 五

  • 160 伏

  • 150 伏

  • 180 伏

  • 6.5 伏

  • 500 伏

  • 100 伏

  • 50 伏

  • 25 伏

  • 200 伏

  • 三十五 伏

  • 75 伏

  • 12.5 伏

  • 60 伏

  • 125 伏

  • 40 伏

  • 80 伏

  • 250 伏

  • 1000 伏

  • 600 伏

  • 65 伏

  • 115 伏

  • 84V

  • 450 伏

  • 700 伏

  • 70 伏

  • 900 伏

  • 130 伏

  • 1200 伏

  • 270 伏

  • 55 伏

  • 135V

  • 68V

  • 108V

  • 13伏

  • 13.6V

  • 53伏

  • 105V

  • 66伏

  • 94 五

  • 182 五

  • 133 五

  • 106 五

  • 104 五

  • 179五

  • 112 伏

  • 89 五

  • 177五

  • 114.5 伏

工作温度

  • -55℃～150℃（高温）

  • 150°C

安装类型

  • 通孔

  • 底盘安装

  • 表面贴装

封装/箱体

  • PL44A1

  • SOT922-1

  • 车顶安装

  • 0402（1005 公制）

  • 2430

  • 0.713 英寸（18.10 毫米）

  • CompactPCI®

  • 模块

  • 非标SMD

  • 4-SMD，扁平引线

  • 4-SMD

  • T2

  • TO-243AA

  • 20-TSSOP（0.173 英寸，4.40 毫米宽）裸露焊盘

  • 3-SMD，无引线

  • 死

  • TO-253-4, TO-253AA

  • 6-TSSOP、SC-88、SOT-363

  • SOT-563, SOT-666

  • TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

  • SC-70、SOT-323

  • 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

  • 79A

  • TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • TO-220-3

  • SOT-143R

  • TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB

  • 6-VSSOP、SC-88、SOT-363

  • 20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）

  • SC-82A、SOT-343

  • SMA-PG

  • 8 电源 VDFN

  • TO-262-3 长引线、I²Pak、TO-262AA

  • PowerSO-10 裸露底垫

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)

  • TO-247-3

  • 138毫欧姆

  • 8.701 英寸（221.00 毫米）

  • 0.325 英寸（8.25 毫米）

  • 1.14 欧姆

  • 4-SMD，无引线

  • 6-VDFN 裸露焊盘

  • 6-SMD 模块

  • 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）裸露焊盘

  • 8-SMD，扁平引线裸露焊盘

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型引线

  • STAC177B

  • 12-VFDFN 裸露焊盘

  • 产品名称：NI-1230-4LS2L

  • 16-VDFN 裸露焊盘

  • 14-TDFN 裸露焊盘

  • TO-261-4, TO-261AA

  • 20-SOIC（0.433 英寸，11.00 毫米宽）裸露焊盘

  • 4-BESOP（0.173英寸，4.40毫米宽）

  • 6-SMD，扁平引线裸露焊盘

  • 0505（1412公制）

  • TO-204AA, TO-3

  • TO-264-3、TO-264AA

  • TO-206AF, TO-72-4 金属罐

  • 10-LDFN 裸露焊盘

  • TO-226-3, TO-92-3 长体

  • TO-226-3、TO-92-3 长体（成型引线）

  • T-1

  • TO-206AA、TO-18-3金属罐

  • SOT-343F

  • 211-07

  • 211-11，样式 2

  • 316-01

  • 305A-01

  • M174

  • M113

  • 744A-01

  • M177

  • Micro-X 陶瓷 (84C)

  • SOT-121B

  • 8-TFDFN 裸露焊盘

  • 12-VDFN 裸露焊盘

  • SOT-1121B

  • SOT-502A

  • 440199

  • SOT-979A

  • NI-1230

  • SOT-539A

  • SOT-957A

  • PLD-1.5W

  • TO-270AB

  • TO-270BA

  • OMP-780-16G-1

  • TO-270AA

  • SOT-1258-4

  • 440196

  • SOT-1258-7

  • SOT-1273-1

  • SOT1273-1

  • SOT-502B

  • SOT-1135A

  • SOT-539B

  • NI-780S-4L

  • SOT-502E

  • PLD-1.5

频率

  • 3.7GHz~4.1GHz

  • 730MHz～960MHz

  • 1千赫

  • 2GHz

  • 1GHz

  • 1.8GHz

  • 200兆赫

  • 100兆赫

  • 80兆赫

  • 1.2GHz

  • 1.1GHz

  • 2.5GHz

  • 130兆赫

  • 50兆赫

  • 400兆赫

  • 4GHz

  • 3GHz

  • 2.3GHz

  • 1.5GHz

  • 800兆赫

  • 2.45GHz

  • 8GHz

  • 150兆赫

  • 108兆赫

  • 27兆赫

  • 175兆赫

  • 70兆赫

  • 128MHz

  • 220兆赫

  • 1.84GHz

  • 3.6GHz

  • 6GHz

  • 225兆赫

  • 1兆赫

  • 28兆赫

  • 1.99GHz

  • 700兆赫

  • 600兆赫

  • 1.6GHz

  • 7GHz

  • 500兆赫

  • 30兆赫

  • 3.5GHz

  • 2.2GHz

  • 10GHz

  • 1.51GHz

  • 2.4GHz

  • 230兆赫

  • 900兆赫

  • 450兆赫

  • 65兆赫

  • 45兆赫

  • 2.6GHz

  • 1.4GHz

  • 15GHz

  • 18GHz

  • 1.3GHz

  • 2.9GHz

  • 2.7GHz

  • 1.95GHz

  • 5GHz

  • 460兆赫

  • 803兆赫

  • 81兆赫

  • 520兆赫

  • 13.56兆赫

  • 1.9GHz

  • 2.66GHz

  • 3.1GHz

  • 2.16GHz

  • 915兆赫

  • 920兆赫

  • 760兆赫

  • 820兆赫

  • 12GHz

  • 880兆赫

  • 960MHz

  • 2.11GHz

  • 123兆赫

  • 20GHz

  • 440兆赫

  • 1.215GHz

  • 470兆赫

  • 1.09GHz

  • 960MHz~1.215GHz

  • 470MHz～860MHz

  • 1.2GHz~1.4GHz

  • 860兆赫

  • 1.03GHz~1.09GHz

  • 1.03GHz

  • 100MHz～500MHz

  • 2.3GHz~2.4GHz

  • 2.7GHz~3.1GHz

  • 26GHz

  • 870兆赫

  • 2.9GHz~3.5GHz

  • 1.8MHz～470MHz

  • 7.9GHz~9.6GHz

  • 960MHz~1.4GHz

  • 2.17GHz

技术

  • 砷化镓异质结场效应晶体管

  • SiC（碳化硅）MESFET

  • 场效应晶体管

  • MOSFET（金属氧化物）

  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

  • 高电子迁移率晶体管

  • 异质场效应晶体管

  • 场效应晶体管

  • 场效应晶体管

  • 氮化镓高电子迁移率晶体管

  • 电化学pHEMT

  • 氮化镓

  • 磷酸基转移酶

  • 结型场效应晶体管

额定电流（安培）

  • 30毫安

  • 7毫安

  • 15毫安

  • 25毫安

  • 90毫安

  • 9毫安

  • 10毫安

  • 12毫安

  • 5毫安

  • 80毫安

  • 40毫安

  • 3毫安

  • 8毫安

  • 45毫安

  • 18毫安

  • 50毫安

  • 20毫安

  • 6毫安

  • 13毫安

  • 70毫安

  • 100毫安

  • 60毫安

  • 110毫安

  • 1毫安

  • 85毫安

  • 120毫安

  • 280毫安

  • 55毫安

  • 600毫安

  • 300毫安

  • 2毫安

  • 250毫安

  • 4毫安

  • 1A

  • 2.5毫安

  • 350毫安

  • 27A

  • 10A

  • 1.8A

  • 5A

  • 40A

  • 10.5A

  • 60A

  • 16A

  • 6A

  • 12A

  • 4.8A

  • 24A

  • 500毫安

  • 3A

  • 2A

  • 4A

  • 15A

  • 1.5A

  • 2.3A

  • 7.2A

  • 30A

  • 8A

  • 2.1A

  • 14A

  • 18A

  • 20A

  • 29A

  • 17A

  • 800毫安

  • 25A

  • 2.2A

  • 80A

  • 3.6A

  • 2.5A

  • 4.5A

  • 1.7A

  • 4.2A

  • 360毫安

  • 50A

  • 3.5A

  • 900毫安

  • 6.3A

  • 8.6A

  • 7A

  • 13A

  • 9A

  • 32A

  • 45A

  • 22A

  • 26A

  • 36A

  • 28A

  • 11A

  • 2.8A

  • 19A

  • 5.5A

  • 65A

  • 6.5A

  • 230毫安

  • 450毫安

  • 42A

  • 33A

  • 39A

  • 64A

供应商器件封装

  • PL44A1

  • H-37288G-4/2

  • 12-HVSON（4x6）

  • 模块

  • 4-SMD

  • 77

  • B2

  • T2

  • T3

  • SOT-89-3

  • 12-DFN（4x3）

  • 贴片

  • 死

  • 0402

  • SOT-143

  • SOT-363

  • SOT-23-3

  • SOT-23-3（TO-236）

  • TO-236AB

  • PG-SOT23

  • SOT-666

  • 6-TSSOP

  • PG-SOT-143-3D

  • 8-SOIC

  • 8-硫酸盐

  • SOT-143B

  • 79A

  • TO-220-3

  • SOT-143R

  • SC-70

  • 聚酰胺酸二钾

  • 4-微-X

  • SOT-23 (TO-236AB)

  • 20-TSSOP

  • 73

  • M04

  • 3M

  • 芯片

  • TO-92-3

  • 16-HTSSOP

  • STAC177B

  • 8-环糊精

  • 产品名称：NI-1230-4LS2L

  • 8-SOIC-EP

  • 16-HSOP

  • 3-氯丙烷

  • 3-甲基环丙烯

  • PG-SOT343-4

  • TO-92

  • 迷你包装 1412

  • PG-SOT343-4-1

  • 磷酸二氢钾

  • TO-220AB

  • TO-247AD

  • TO-247

  • SOT143 (SC-61)

  • PG-SOT363-PO

  • 雙重駁克

  • SOT-89

  • 南昆士兰大学

  • TO-204AA (TO-3)

  • PG-TO220-3-1

  • TO-92 (TO-226)

  • SC-73

  • PG-SOT343-3D

  • SOT-343

  • DE150

  • DE275

  • T-1

  • SC-70-4

  • 迷你版

  • TO-18

  • PLUS247™-3

  • TO-264

  • 联合应用

  • 星云消息队列

  • TO-72

  • 211-11，样式 2

  • 光盘FM2

  • M174

  • M113

  • SC-62

  • CMPAK-4

  • 3-PowerMiniMold

  • M177

  • CRFM4

  • 10-PowerSO

  • PG-SOT-143R-3D

  • SOT-1121B

  • LDMOS

  • SOT502A

  • 440199

  • 440193

  • NI-1230-4H

  • NI-1230

  • 440201

  • SOT539A

  • 440210

  • H-36248-2

  • PL84A1

配置

  • 双门

  • 双重的

  • 三倍

  • 2 个 N 通道（双）

  • 2 N 沟道（双）共源

  • N 沟道

  • P 沟道

  • N 沟道双栅极

  • 双共源

电压 - 电源

  • 28伏

  • 26伏

  • 20V ～ 32V

功率输出

  • 13 瓦

  • 20 瓦

  • 45 瓦

  • 96 瓦

  • 12 瓦

  • 30 瓦

  • 75 瓦

  • 600 瓦

  • 1000 瓦

  • 1600瓦

  • 230 瓦

  • 102 瓦

  • 36 瓦

  • 59 瓦

  • 150 瓦

  • 55 瓦

  • 50 瓦

  • 10 瓦

  • 25 瓦

  • 17 瓦

  • 240 瓦

  • 210 瓦

  • 15 瓦

  • 57 瓦

  • 18 瓦

  • 900 瓦

  • 48 瓦

  • 60 瓦

  • 65 瓦

  • 360 瓦

  • 100 瓦

  • 200 瓦

  • 115 瓦

  • 56 瓦

  • 112 瓦

  • 8.4瓦

  • 5 瓦

  • 120 瓦

  • 340 瓦

  • 40 瓦

  • 39 瓦

  • 450 瓦

  • 160 瓦

  • 180 瓦

  • 15.5 瓦

  • 35 瓦

  • 27 瓦

  • 68 瓦

  • 110 瓦

  • 29 瓦

  • 34 瓦

  • 28 瓦

  • 24 瓦

  • 63 瓦

  • 300 瓦

  • 800 瓦

  • 2000 瓦

  • 500 瓦

  • 33 瓦

  • 37 瓦

  • 70 瓦

  • 80 瓦

  • 90 瓦

  • 400 瓦

  • 47 瓦

  • 350 瓦

  • 107 瓦

  • 130 瓦

  • 66 瓦

  • 260 瓦

  • 330 瓦

  • 250 瓦

  • 32 瓦

  • 58 瓦

  • 44 瓦

  • 54 瓦

  • 140 瓦

  • 170 瓦

  • 700 瓦

  • 175 瓦

  • 125 瓦

  • 275 瓦

  • 290 瓦

  • 155 瓦

  • 19 瓦

  • 85 瓦

  • 380 瓦

  • 192瓦

  • 6 瓦

  • 225 瓦

  • 750 瓦

  • 95 瓦

  • 16 瓦

  • 320 瓦

  • 4 瓦

  • 148 瓦

  • 72 瓦

  • 26.5 瓦

  • 590 瓦

  • 瓦

功率耗散（最大）

  • 750 瓦（功耗）

  • 75 瓦

  • 50 瓦

  • 75瓦（热阻）

  • 125瓦（热电阻）

  • 150瓦（热电阻）

晶体管类型

  • 2 个 N 通道（双）

  • 2 N 沟道（双）共源

  • 4 N 沟道

  • LDMOS（双），共源

  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

  • 高电子迁移率晶体管

  • LDMOS (双)

  • 异质场效应晶体管

  • N 沟道

  • 场效应晶体管

  • 场效应晶体管

  • 氮化镓高电子迁移率晶体管

  • N 沟道 GaAs HJ-FET

  • N沟道JFET

  • 电化学pHEMT

  • 氮化镓

  • N 沟道双栅极

  • 磷酸基转移酶

  • MESFET 双栅极

  • 砷化镓场效应晶体管

获得

  • 26.6分贝

  • 2.7GHz~3.1GHz 时为 16dB

  • 38分贝

  • 19分贝

  • 22.5分贝

  • 21分贝

  • 23分贝

  • 15分贝

  • 13分贝

  • 16分贝

  • 27分贝

  • 24分贝

  • 25.5分贝

  • 9分贝

  • 12分贝

  • 11分贝

  • 14分贝

  • 14.2分贝

  • 10分贝

  • 18分贝

  • 17.5分贝

  • 22分贝

  • 12.5分贝

  • 11.8分贝

  • 16.5分贝

  • 15.5分贝

  • 11.6分贝

  • 25分贝

  • 10.8分贝

  • 8.5分贝

  • 7分贝

  • 10.2分贝

  • 13.5分贝

  • 11.5分贝

  • 8分贝

  • 6.5分贝

  • 20分贝

  • 21.5分贝

  • 17分贝

  • 15.8分贝

  • 10.5分贝

  • 13.1分贝

  • 19.5分贝

  • 35分贝

  • 26分贝

  • 27.5分贝

  • 18.5分贝

  • 24.5分贝

  • 18.3分贝

  • 29分贝

  • 28分贝

  • 16.9分贝

  • 8分贝～17分贝

  • 14.5分贝

  • 9.6分贝

  • 15分贝～17分贝

  • 20.1分贝

  • 13.3分贝

  • 16.8分贝

  • 18.6分贝

  • 28.7分贝

  • 21.1分贝

  • 16.1分贝

  • 15.4分贝

  • 18.9分贝

  • 20.6分贝

  • 23.9分贝

  • 15.3分贝

  • 21.8分贝

  • 19.7分贝

  • 31.2分贝

  • 32.5分贝

  • 21.7分贝

  • 22.7分贝

  • 26.1分贝

  • 18.2分贝

  • 20.2分贝

  • 32.6分贝

  • 13.9分贝

  • 14.6分贝

  • 19.3分贝

  • 18.7分贝

  • 15.9分贝

  • 19.2分贝

  • 33.5分贝

  • 17.3分贝

  • 17.7分贝

  • 32分贝

  • 15.2分贝

  • 14.7分贝

  • 16.6分贝

  • 15.7分贝

  • 23.5分贝

  • 11.2分贝

  • 13.7分贝

  • 7.7分贝～16分贝

  • 35.5分贝

  • 18.1分贝

  • 15.6分贝

  • 17.25分贝

场效应晶体管类型

  • N 沟道

漏源电压 ( Vdss)

  • 30 伏

  • 60 伏

  • 350 伏

  • 1000 伏

  • 600 伏

  • 800 伏

  • 900 伏

电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C

  • 1.8A

  • 1.6A

  • 2.8A

  • 1.3A

  • 1.5A（电流值）

  • 24A（铊）

  • 4.3A（温度系数）

  • 3.6A（温度系数）

  • 6.2A（温度系数）

  • 2A（铊）

Rds On（最大值）@ Id、 Vgs

  • 65毫欧@12A，4.5V

  • 2.5欧姆@3.6A，10V

  • 2.9欧姆@4.3A，10V

  • 1.85 欧姆 @ 6.2A，10V

  • 400毫欧@500毫安，10伏

  • 4.6 欧姆 @ 2A，10V

Vgs(th)（最大值）@ Id

  • 2.5V@1mA

  • 4V @ 250µA

栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs

  • 10 V 时 180 纳克

  • 10 V 时 120 纳克

  • 10 V 时为 66 纳克

  • 10 V 时 38 纳克

输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds

  • 1500 pF @ 25 V

  • 1400 pF @ 25 V

  • 1000 pF @ 25 V

  • 2700 pF（25 V 时）

  • 630 pF @ 25 V

  • 10V 时 230pF

电压 - 测试

  • 伏

  • 12 伏

  • 伏

  • 10 伏

  • 伏

  • 伏

  • 1.5 伏

  • 4.5 伏

  • 四十八 伏

  • 3.6 伏

  • 三十二 伏

  • 3.5 伏

  • 15 伏

  • 30 伏

  • 8 伏

  • 二十八 五

  • 4 伏

  • 7.5 伏

  • 伏

  • 2.7 伏

  • 3.2 伏

  • 7.2 伏

  • 4.8 伏

  • 10.8 伏

  • 150 伏

  • 6.5 伏

  • 四十二 五

  • 100 伏

  • 300 伏

  • 50 伏

  • 200 伏

  • 12.5 伏

  • 125 伏

  • 40 伏

  • 250 伏

  • 65 伏

  • 400 伏

  • 三十六 五

  • 380 伏

  • 55 伏

  • 二十九 五

  • 26V

  • 45V

  • 135V

  • 13伏

  • 13.6V

  • 31.5 伏

  • 300 毫伏

  • 13.7 伏

噪声系数

  • 12分贝

  • 5分贝

  • 1.5分贝

  • 1.4分贝

  • 4.5分贝

  • 0.5分贝

  • 2分贝

  • 0.85分贝

  • 1.6分贝

  • 4分贝

  • 2.8分贝

  • 1.05分贝

  • 0.8分贝

  • 0.4分贝

  • 0.6分贝

  • 0.9分贝

  • 1.3分贝

  • 1分贝

  • 1.7分贝

  • 1.2分贝

  • 2.5分贝

  • 0.62分贝

  • 3分贝

  • 0.3分贝

  • 0.75分贝

  • 0.45分贝

  • 0.35分贝

  • 12GHz 时为 3.5dB

  • 0.65分贝

  • 0.7分贝

  • 5.8GHz 时为 1.4dB

  • 5.8GHz 时为 1.5dB

  • 1.8分贝

  • 1.1分贝

  • 2.1分贝

  • 5.8GHz 时为 1.7dB

  • 4GHz 时为 1dB

  • 0.81分贝

  • 2.2分贝

  • 3.1分贝

  • 1.9分贝

  • 5.3分贝

当前 - 测试

  • 毫安

  • 250 微安

  • 一

  • 150 毫安

  • 毫安

  • 500 毫安

  • 25 微安

  • 毫安

  • 10 毫安

  • 700 毫安

  • 一

  • 二

  • 四

  • 1.6 一

  • 1.25 一

  • 1.75安

  • 1.5A

  • 750毫安

  • 250毫安

  • 100毫安

  • 400毫安

  • 50毫安

  • 80毫安

  • 125毫安

  • 200毫安

  • 40毫安

  • 375毫安

  • 15 毫安

  • 300 毫安

  • 800 毫安

  • 600 毫安

  • 160 毫安

  • 75 毫安

  • 1.8 一

  • 60 毫安

  • 175 毫安

  • 350 毫安

  • 1.2

  • 1.4 一个

  • 2.8 一

  • 1.3

  • 180 毫安

  • 2.2 一个

  • 2.6 一个

  • 2.4 一个

  • 30 毫安

  • 550 毫安

  • 20 毫安

  • 450 毫安

  • 16 毫安

  • 4 毫安

  • 850 毫安

  • 3.4 一个

  • 1.7 一个

  • 1.9

  • 1.1

  • 120 毫安

  • 390 毫安

  • 140 毫安

  • 90 毫安

  • 1.85 一个

  • 1.95 一

  • 370 毫安

  • 900 毫安

  • 330 毫安

  • 190 毫安

  • 220 毫安

  • 650 毫安

  • 1.35 一个

  • 170 毫安

  • 130 毫安

  • 59 毫安

  • 1.55 一个

  • 240 毫安

  • 260 毫安

  • 65 毫安

  • 950 毫安

  • 70 毫安

  • 1.62 一

  • 230 毫安

  • 38 毫安

  • 2.65 一

  • 210 毫安

  • 410 毫安

  • 320 毫安

  • 270 毫安

  • 19 毫安

  • 42 毫安

  • 540 毫安

  • 810 毫安

  • 135 毫安

  • 110 毫安

  • 280 毫安

  • 85 毫安

  • 1.73 一

  • 55 毫安

  • 360 毫安

  • 115 毫安

  • 860 毫安

  • 610 毫安

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

  • 10伏

  • 4.5伏

  • 4伏、10伏

电压 (最大值)

  • ±20V

系列

  • 布莱克

  • 脑功能障碍

  • 艺术

  • 泰莫斯®

  • 金茂金属

  • 边界层滤波器

  • A3I20X050GN

  • A3I20X050N

  • 零密度MOS™

  • 土地管理局

  • *

  • 氮化镓

  • 汽车、AEC-Q101

  • 德

  • HEXFET®

  • TEMPFET®

基本产品编号

  • BLF647

  • BLL9

  • MRFE6

  • CGH31240

  • BLA9

  • CGHV96100

  • GTVA107001

  • IGN1011

  • GTVA101

  • PD55003

  • AFT27

  • AFT05

  • MW6S010

  • BLM10

  • BLM9

  • CGH60015

  • CGH27030

  • CGH60030

  • BLC10

  • CGH55015

  • BLC9

  • CGH60060

  • CG2H80060

  • CGH35030

  • BLF182

  • BLF882

  • BLL8

  • CGH55030

  • 6号线

  • BLP8

  • MRFG35

  • 6型

  • MRF90

  • MRF5

  • MRF21

  • MRF7

  • MWT-7

  • CGHV60040

  • MMRF1306

  • AFV09

  • MRF6V14300

  • AFV10700

  • BLF2425

  • BLF574

  • 磁流变275

  • BLF978

  • BLF578

  • CE3512

  • VRF151

  • CG2H40010

  • BLM8

  • A2T18

  • PTVA042502

  • PTVA043502

  • PXAC192908

  • PTFB213208

  • A3T21

  • 18 号

  • GTVA212701

  • GTVA262701

  • A2T07

  • 聚四氟乙烯211801

  • PXAD184218

  • PXAD214218

  • GTRA362002

  • A3T18

  • A2G22

  • PXAC243502

  • A3G20

  • A2T20

  • CG2H40045

  • GTVA263202

  • A3T23

  • A2V07

  • A2T21

  • MMRF1310

  • PTFC262808

  • GTRA362802

  • A2V09

  • PTFB183404

  • GTRA263902

  • MRF8S9200

  • GTRA384802

  • A2T23

  • 安特卫普23

  • 安特卫普21

  • A2T26

  • MRF8S9232

  • ARF1505

  • VRF2933

  • MMRF1008

  • PTFC270051

  • PTVA120121

  • A2T27

  • A2T08

  • PTVA120252

  • PXAC210552

  • PTVA030121

  • MHT1803

  • MMRF1015

包装

  • 卷带包装 (TR)、切割卷带包装 (CT)、Dasenic-Reel®

  • 管子

  • 盒子

  • 案件

  • 托盘

  • B2

  • SOT-445 变体

  • SOT-23

  • 4-微-X

  • SC-61AA

  • 440193

  • NI-1230-4H

  • 440201

  • SOT539A

  • 440210

  • H-36248-2

  • H-36275-4

  • TO-270-2

  • 440166

  • SOT539B

  • SOT-1214C

  • 440095

  • OM-1230-4L

  • 440162

  • NI-360H-2SB

  • 20-VLGA 裸露焊盘

  • TO-272-2

  • NI-400S

  • TO-272-8

  • NI-400

  • SOT-279A

  • NI-1230S-4S4S

  • SOT-1212-3

  • H-87265J-2

  • H-33288-6

  • H-37248C-4

  • H-37248-2

  • HB2SOF-6-1

  • NI-780-2S2L

  • OM-880X-2L2L

  • OM780-4

  • OM-780-4L

  • H-36275-8

  • NI-780GS-4L

  • H-37265J-2

  • 440223

  • H-37265-2

  • 440117

  • HBSO-6-2型

  • SOT-1482-1

  • SOT-1483-1

  • SOT-1242C

  • SOT-1242B

  • NI-1230-4S GW

  • NI-1230-4S

  • SOT-1211-1

  • SOT-1211-3

  • SOT-1138-2

  • OMP-780-6F-1

  • OMP-780-4F-1

  • SOT-1221-2

  • SOT-1248C

  • SOT-1204-2

  • 440109

  • SOT-1110A

  • SOT-1110B

  • OM-1230-4L2L

  • TO-270-4

  • B4E

  • NI-780S-6

  • 左前臂屈伸

  • STAC265B

  • SOT-268A

  • SOT-539A

  • SOT-1221-1

  • SOT-1224-2

  • SOT1275-3

  • SOT-1271-3

  • SOT-1130A

  • 319B-02

  • PL32A2

  • NI-200Z

  • 4-HSOPF，SOT-1138

  • NI-1230S-4 GW

  • TO-272AA

  • H-33288-2

  • NI-780GS

  • OM-1230G-4L

  • SOT-119A

  • OMP-1230-4F-1

  • H-34288-4/2

  • 319-07

  • M174MR

  • H-37275-6/2

  • TO-272BA

  • OM-1230-4L2S

  • TO-271AA

  • HF-600

  • NI-860

  • SOM038

包装

  • 卷带式 (TR)/切带式 (CT)/托盘/管式

Ro H S 现状

  • 无铅/符合 RoHS 规定

筛选结果：
型号制造商单价库存描述数据文档操作
CLF1G0035-200P
Rochester Electronics￥ 52586.19261509射频功率晶体管
CLF1G0035S-100
Rochester Electronics￥ 234.44106969射频功率场效应晶体管
BLF3G21-30
Rochester Electronics￥ 5461.60176145RF PFET，单元件，超高 F
BLF647PS,112
Ampleon￥ 1014.09301621射频场效应晶体管 LDMOS 65V 17DB SOT1121B
BLL9G1214L-600U
Ampleon￥ 1377.42841560BLL9G1214L-600/SOT502/托盘
CGHV40200PP
Wolfspeed, Inc.￥ 5081.26411540射频MOSFET HEMT 440199
CGHV35150F
Wolfspeed, Inc.￥ 4366.41481549射频MOSFET HEMT 50V 440193
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors￥ 1477.43191656射频 MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors￥ 1338.15161604场效应管 射频 2通道 133V 230MHZ NI-1230
CGH31240F
Wolfspeed, Inc.￥ 9748.44201509240W GAN HEMT 28V 2.7-3.1GHZ 场效应管
BLA9H0912L-1200PU
Ampleon￥ 3032.37451555BLA9H0912L-1200P/SOT539/托盘
BLA9H0912LS-1200PU
Ampleon￥ 6738.6100712BLA9H0912LS-1200P/SOT539/托盘
CGHV96100F2
Wolfspeed, Inc.￥ 9560.46241649射频MOSFET HEMT 40V 440210
GTVA107001EC-V1-R0
Wolfspeed, Inc.￥ 6443.35651548700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ 场效应管
IGN1011L1200
Integra Technologies￥ 10817.41801508GAN，射频功率晶体管，L 波段
GTVA101K42EV-V1-R0
Wolfspeed, Inc.￥ 10414.26231624GaN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
PD55003TR-E
STMicroelectronics￥ 56.42373540场效应晶体管射频 40V 500MHZ PWRSO-10
AFT27S006NT1
NXP Semiconductors￥ 40.269811940射频 MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
MHT1008NT1
Rochester Electronics￥ 82.94229057射频功率场效应晶体管
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors￥ 134.50954950场效应晶体管射频 2 通道 40V 520MHZ TO270-4
MW6S010GNR1
NXP Semiconductors￥ 358.2660708射频 MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
BLM10D1822-60ABGZ
Ampleon￥ 318.41371857LDMOS 2 级集成 Doherty MMIC
BLM9D1822S-60PBGY
Ampleon￥ 327.04021697BLM9D1822S-60PBG/OMP780/REELDP
CGH60015D-GP4
Wolfspeed, Inc.￥ 729.99361550射频 MOSFET HEMT 28V 模具
CGH27030S
Wolfspeed, Inc.￥ 455.09581755射频MOSFET HEMT 28V 12DFN
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors￥ 292.66203900场效应晶体管射频 66V 880MHZ TO270-2
CGH60030D-GP4
Wolfspeed, Inc.￥ 1890.87201520射频 MOSFET HEMT 28V 模具
BLC10G18XS-551AVTZ
Ampleon￥ 1099.9320600BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP
CGH55015F1
Wolfspeed, Inc.￥ 73.38999852射频MOSFET HEMT 28V 440196
BLC9G27XS-380AVTZ
Ampleon￥ 1257.75081199BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/TRAYD
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