总共 37805

制造商
  • Comchip Technology

  • D Components

  • Efficient Power Conversion Corp.

  • EPC Space

  • Flip Electronics

  • GeneSiC Semiconductor

  • Goford Semiconductor

  • Renesas Electronics

  • InventChip Technology

  • IXYS Corporation

  • Micro Commercial Components(MCC)

  • Micross Components, Inc.

  • NextGen Components, Inc.

  • Nexperia

  • NTE Electronics

  • Panasonic

  • PN Junction Semiconductor

  • Rectron Semiconductor

  • SemiQ

  • Solid State, Inc.

  • Transphorm

  • UnitedSiC

  • International Rectifier(IR)

  • Microsemi Corporation

  • Texas Instruments

  • Vishay Intertechnology

  • Sanken Electric

  • Alpha &Omega Semiconductor

  • MaxLinear

  • Central Semiconductor

  • Jiangsu Changjing Electronics

  • Diodes Incorporated

  • Infineon Technologies

  • Littelfuse, Inc.

  • KEMET Corporation

  • Microchip Technology

  • NXP Semiconductors

  • Onsemi

  • PANJIT Semiconductor

  • Richtek Technology

  • Rochester Electronics

  • ROHM Semiconductor

  • Skyworks Solutions, Inc.

  • STMicroelectronics

  • Toshiba

  • Optek Technology

  • Vicor Corporation

  • Waldom Electronics

  • WeEn Semiconductors

  • Fairchild Semiconductor

  • Honeywell Aerospace

  • Linear Integrated Systems

  • Taiwan Semiconductor

  • Torex Semiconductor

  • Wolfspeed, Inc.

  • Yangjie Electronic Technology

  • GaNPower

产品状态
  • 积极的

  • 过时的

  • 不适用于新设计

配件类型
  • 孔塞,螺纹

材料
  • 聚酰胺 (PA66)、尼龙 6/6

额定电压
  • 8 伏

  • 75 伏

  • 65 伏

工作温度
  • -55℃~125℃

  • -55℃~150℃

  • -55℃~175℃

  • -65℃~150℃

  • 0℃~70℃

  • -65℃~150℃(高温)

  • -55℃~150℃(高温)

  • -55℃~125℃(温度范围)

  • -50℃~150℃(高温)

  • -40℃~125℃(温度范围)

  • -55℃~150℃(环境温度)

  • -55℃~175℃(高温)

  • -40℃~85℃(环境温度)

  • 150°C(高温)

  • -40℃~150℃(高温)

  • -65℃~175℃(高温)

  • -55℃~125℃(环境温度)

  • 125°C(高温)

  • -55℃~175℃(环境温度)

  • -55℃~155℃(高温)

  • -50℃~175℃(高温)

  • 150°C

  • 175°C(高温)

  • -40℃~175℃(温度范围)

  • 175°C

  • -25℃~125℃(温度范围)

  • -40℃~110℃(环境温度)

  • -25℃~150℃(高温)

  • -55°C ~ 200°C(太焦)

  • -55℃~135℃(高温)

  • 0℃~150℃(高温)

  • 150°C(温度范围)

  • -60℃~175℃(高温)

  • -55℃~225℃(温度范围)

  • -55℃~110℃(环境温度)

  • -55℃~185℃(高温)

安装类型
  • 通孔

  • 底盘安装

  • 表面贴装,可润湿侧翼

  • 表面贴装

封装/箱体
  • 8-PowerTSSOP(0.173 英寸,4.40 毫米宽)

  • TSOP6

  • 轴向

  • 0201(0603 公制)

  • 5 伏、9 伏、12 伏、15 伏、20 伏

  • 2430

  • 0.713 英寸(18.10 毫米)

  • 18350

  • 0.150 英寸(3.81 毫米)

  • 模块

  • 3-SMD,扁平引线

  • SC-74A, SOT-753

  • TO-243AA

  • SOT-23-5 薄型, TSOT-23-5

  • 9-UFBGA,DSBGA

  • 6-WDFN 裸露焊盘

  • 8-VDFN 裸露焊盘

  • 6-SMD,无引线

  • 8-TSSOP、8-MSOP(0.118 英寸,3.00 毫米宽)

  • 3-SMD,无引线

  • 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353

  • TO-253-4, TO-253AA

  • 6-TSSOP、SC-88、SOT-363

  • SOT-23-6

  • SOT-563, SOT-666

  • TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

  • SC-74、SOT-457

  • SOT-553

  • SOT-23-6 薄型,TSOT-23-6

  • SC-70、SOT-323

  • SOT-723

  • SC-75、SOT-416

  • 6-UFDFN 裸露焊盘

  • 3-XDFN

  • 6-PowerUFDFN

  • 3-XFDFN

  • 3-SMD,SOT-23-3 变体

  • SC-101、SOT-883

  • 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽)

  • SOT-523

  • 6-XFDFN 裸露焊盘

  • SC-89,SOT-490

  • 3-UFDFN

  • 4-UFBGA,WLCSP

  • 6-UDFN 裸露焊盘

  • 3-PowerUDFN

  • SC-85

  • 3-XDFN 裸露焊盘

  • TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 6-SMD(5 根引线),扁平引线

  • TO-220-3

  • 4-XFBGA,晶圆级芯片尺寸

  • 6-SMD,扁平引线

  • 3-UDFN

  • TO-263-3,D²Pak(2 根引线 + 接片),TO-263AB

  • 6-VSSOP、SC-88、SOT-363

  • 4-XFBGA、FCBGA

  • 5-SMD,扁平引线

  • 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽)

  • 6-WFDFN 裸露焊盘

  • SOT-1123

  • 4-XFBGA

  • 4-UFBGA、WLBGA

  • SMA-PG

  • 6-UFBGA、WLCSP

  • 8-邻苯二甲酸二异丙酯

  • 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽)

  • 4-UFBGA,DSBGA

  • 8-PowerWDFN

  • 10-SMD,无引线

  • 52pF

  • 8 电源 VDFN

  • TO-262-3 长引线、I²Pak、TO-262AA

  • 3-SIP

  • PowerSO-10 裸露底垫

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)

  • TO-247-3

  • 15.7 伏

  • 1410(3524公制)

  • USB 2.0 B 型

  • 7.244 英寸(184.00 毫米)

  • 三十一

  • 1A、2.8A

  • 4-SMD,无引线

  • 12兆赫

  • 8-SMD,无引线

  • 9-SMD,无引线

  • 4-DIP (0.300", 7.62毫米)

  • 6-VDFN 裸露焊盘

  • 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽)

  • 4-UFDFN

  • 8-SOIC(0.197 英寸,5.00 毫米宽)

  • 8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽)裸露焊盘

  • 8-SMD,扁平引线裸露焊盘

  • 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽)

  • 8-SMD,扁平引线

  • 8-VFSOP(0.091英寸,2.30毫米宽)

  • TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型引线

  • 36-VFBGA

输入类型
  • 标准

频率
  • 1GHz

  • 960MHz~1.215GHz

  • 1.03GHz~1.09GHz

  • 1.88GHz

技术
  • 场效应晶体管

  • GaNFET(氮化镓)

  • MOSFET(金属氧化物)

  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

  • SiCFET(碳化硅)

  • SiCFET(共源共栅 SiCJFET)

  • GaNFET(共源共栅氮化镓场效应晶体管)

  • SiC(碳化硅结型晶体管)

功率 - 最大
  • 2 瓦

  • 250 毫瓦

  • 1.4 瓦

  • 65 瓦

  • 68 瓦

  • 32 瓦

  • 6 瓦

  • 38 瓦

  • 800毫瓦

  • 64 瓦

  • 330 毫瓦

  • 300毫瓦

  • 330毫瓦

  • 1瓦

  • 420毫瓦

  • 700毫瓦

  • 900毫瓦

  • 1.5瓦

  • 2.5 瓦

  • 1.4瓦

  • 1.6瓦

  • 1.25瓦(功耗)

  • 1W(功耗)

  • 1.1瓦(功耗)

  • 2W(钽)

  • 800毫瓦(功耗)

  • 1.6瓦(功耗)

  • 750毫瓦(功耗)

  • 34W(热电阻)

  • 700毫瓦, 900毫瓦

  • 1.2瓦(功耗)

  • 700毫瓦(功耗)

  • 3.1W(功耗),23W(温度系数)

  • 2.2瓦(功耗)

  • 1.7 瓦(温度特性),21 瓦(温度特性)

  • 860毫瓦

  • 740毫瓦(功耗)

  • 65瓦(热阻)

  • 11.4瓦

  • 920毫瓦

  • 960毫瓦

  • 700 毫瓦(温度特性),860 毫瓦(温度特性)

  • 46W(热电阻)

  • 360毫瓦(功耗)

  • 29W(热电偶)

  • 1.46瓦(功耗)

  • 810毫瓦(功耗)

  • 1.16瓦(功耗)

  • 3.1W(功耗),41W(温度系数)

  • 246 瓦

  • 2.67W(Ta)、39.4W(Tc)

  • 1.1W(Ta), 16W(Tc)

  • 2.6 瓦(功耗),39.5 瓦(温度系数)

  • 2.5 瓦(功耗),40.3 瓦(温度系数)

  • 1.8 瓦(温度特性),40 瓦(温度特性)

  • 2.6W(Ta)、93W(Tc)

  • 3.1W(功耗),90W(温度系数)

额定电流(安培)
  • 100微安

  • 100纳安

  • 50微安

供应商器件封装
  • MP-3

  • PG-TO251-3-345

  • PG-TO-263-3-2

  • MG-WDSON-2

  • PG-TO220-3-904

  • 8 电源 TSSOP

  • PG-SOT363-6-6

  • MG-WDSON-2-9

  • MP-25K

  • TO-3P(MP-88)

  • 6-PQFN(2x2)(DFN2020)

  • TO-263-7L

  • TO-247-4L(T)

  • SOT-363-6L

  • TO-251(TH3 型)

  • PG-TO251-3-901

  • TO-220贴片

  • MP-45F

  • 8-PowerSOP

  • ITO-220 (MP-45F)

  • TO-220CFM

  • 轴向

  • 模块

  • 3-SMD

  • 4-SMD

  • SOT-23-5

  • SOT-89-3

  • 8-DFN(3x2)

  • 9. DSBGA

  • 6-WSON(2x2)

  • SOT-143

  • SOT-363

  • SOT-23-6

  • SOT-26

  • SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 8-DFN(3x3)

  • SOT-563

  • SOT-23-3

  • 6-TSOP

  • 静电放电

  • TSOT-23

  • SC-70-3

  • SOT-23-3(TO-236)

  • TO-236AB

  • PG-SOT23

  • SOT-323

  • 6-TSSOP

  • SC-70-6

  • SOT-723

  • 真空抽吸式真空抽吸机

  • SC-75、SOT-416

  • DFN0603-3 (SOT8013)

  • 6-DFN(1.6x1.6)

  • SOT-23

  • SOT-883

  • SOT-23-3L

  • 8-SOIC

  • SOT-143-4

  • SOT-23-6L

  • SOT-523

  • 8-MSOP

  • 6-µDFN (2x2)

  • 8-硫酸盐

  • SC-89-3

  • DFN1616-6 型号

  • SOT-25

  • 4-WLCSP(0.8x0.8)

  • S-迷你

  • DFN1006B-3

  • X2-DFN1010-3

  • 南加州大学

  • DFN1110D-3

  • DFN1006-3

  • PG-TO252-3-11

  • 3-甲基-4-酮

  • 8-标准操作程序

  • TO-220-3

  • TO-220

  • SSSMini3-F1

  • Mini3-G1

  • SC-70-3 (SOT323)

  • CST3

  • X2-DFN0806-3

  • UF6

  • SC-74

  • Mini5-G1

  • 6-WDFN (2x2)

  • SC-70

  • SOT-523 扁平引线

  • 聚酰胺酸二钾

  • SSM

  • 5-SSOP

  • 6-UDFN(1.6x1.6)

  • DFN1010D-3

  • X1-DFN1006-3

  • PG-SOT323

  • 3-DFN(1.0 x 0.60)

  • ES6

  • SOT-23A-3

配置
  • 单身的

  • 双重的

  • N 沟道(双)共漏极

  • 2 个 P 通道(双)

  • 2 个 N 通道(双)

  • N 沟道(半桥)

  • 2 N 沟道(双)共源

  • N 和 P 沟道

  • 2 N 沟道(双)不对称

  • N 沟道

功率输出
  • 10 瓦

  • 63 瓦

  • 250 瓦

功率耗散(最大)
  • 1.2W(Ta)、100W(Tc)

  • 1W(Ta), 22W(Tc)

  • 3W(热损),200W(热损)

  • 1.37W(塔)

  • 750 毫瓦(Ta),21.6 瓦(Tc)

  • 1.5 瓦(温度特性),105 瓦(温度特性)

  • 1.5 瓦(Ta),70 瓦(Tc)

  • 1.5 瓦(Ta),95 瓦(Tc)

  • 1.5 瓦(温度特性),47 瓦(温度特性)

  • 100毫瓦

  • 20 瓦

  • 45 瓦

  • 30 瓦

  • 75 瓦

  • 150 瓦

  • 164 瓦

  • 55 瓦

  • 50 瓦

  • 88 瓦

  • 25 瓦

  • 15 瓦

  • 57 瓦

  • 18 瓦

  • 60 瓦

  • 65 瓦

  • 105 瓦

  • 100 瓦

  • 115 瓦

  • 5 瓦

  • 136 瓦

  • 120 瓦

  • 40 瓦

  • 160 瓦

  • 49 瓦

  • 35 瓦

  • 68 瓦

  • 110 瓦

  • 34 瓦

  • 28 瓦

  • 24 瓦

  • 63 瓦

  • 300 瓦

  • 500 瓦

  • 70 瓦

  • 80 瓦

  • 90 瓦

  • 47 瓦

  • 130 瓦

  • 260 瓦

  • 32 瓦

  • 78 瓦

  • 165 瓦

  • 140 瓦

  • 170 瓦

  • 125 瓦

  • 181瓦

  • 128 瓦

  • 19 瓦

  • 85 瓦

  • 192瓦

  • 134 瓦

  • 72 瓦

  • 126 瓦

  • 38 瓦

  • 200毫瓦

  • 2瓦

  • 41 瓦

  • 26W

  • 312W

  • 31W

  • 62.5 瓦

  • 800毫瓦

  • 1.2瓦

  • 350毫瓦

  • 250毫瓦

  • 225毫瓦

  • 500毫瓦

  • 150毫瓦

  • 380毫瓦

  • 300毫瓦

  • 330毫瓦

  • 1.1瓦

  • 400毫瓦

  • 1瓦

  • 1.56 瓦

  • 3W

  • 360毫瓦

  • 700毫瓦

  • 1.25 瓦

  • 1.7瓦

  • 900毫瓦

  • 530毫瓦

  • 830毫瓦

  • 1.5瓦

  • 2.3瓦

  • 290毫瓦

  • 1.8瓦

  • 550毫瓦

  • 1.47 瓦

  • 2.5 瓦

电压 - 直流反向 ( Vr)(最大值)
  • 12 伏

晶体管类型
  • NPN

  • 即插即用

  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

电流 - 集电极 ( Ic)(最大值)
  • 500 毫安

  • 200毫安

  • 67 一

电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
  • 150 伏

  • 100 伏

  • 60 伏

  • 40 伏

  • 80 伏

  • 600 伏

Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic
  • 250mV@10mA、100mA

  • 200mV@5mA,50mA

  • 100mV@5mA,50mA

  • 1.5V @ 600mA,6A

  • 100mA、500mA 时为 300mV

电流 - 集电极截止(最大值)
  • 100纳安

  • 700微安

直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce
  • 100 @ 10 毫安,1 伏

  • 100 @ 100mA,1V

  • 15 @ 3A,4V

  • 100 @ 100 毫安,10 伏

频率 - 过渡
  • 100兆赫

  • 300兆赫

  • 3兆赫

  • 115兆赫

获得
  • 23分贝

  • 15分贝

  • 13分贝

  • 32分贝

  • 15.2分贝

场效应晶体管类型
  • 2 个 N 通道(双)

  • N 和 P 沟道

  • N 沟道

  • P 沟道

场效应晶体管特性
  • 标准

  • 电流感应

  • 逻辑电平门

  • 耗尽模式

  • 逻辑电平门,4.5V 驱动

  • 逻辑电平门,4V 驱动

  • 逻辑电平门,5V 驱动

  • 超级连接点

  • 肖特基二极管(体)

  • 肖特基二极管(隔离)

  • 温度传感二极管

漏源电压 ( Vdss)
  • 100伏

  • 12 伏

  • 50伏

  • 25伏

  • 10 伏

  • 十四 伏

  • 24 伏

  • 20 伏

  • 220 伏

  • 三十二 伏

  • 110 伏

  • 十八 伏

  • 15 伏

  • 90 伏

  • 85 伏

  • 120 伏

  • 60伏

  • 240 伏

  • 30 伏

  • 35伏

  • 20伏

  • 30伏

  • 8 伏

  • 二十八 五

  • 1.2 伏

  • 12伏

  • 24伏

  • 十六 五

  • 5.5 伏

  • 170 伏

  • 160 伏

  • 150 伏

  • 180 伏

  • 40伏

  • 80伏

  • 500 伏

  • 100 伏

  • 300 伏

  • 50 伏

  • 25 伏

  • 200 伏

  • 三十五 伏

  • 75 伏

  • 60 伏

  • 125 伏

  • 40 伏

  • 80 伏

  • 750 伏

  • 250 伏

  • 3000 伏

  • 350 伏

  • 1000 伏

  • 2500 伏

  • 2000 伏

  • 4000 伏

  • 1500 伏

  • 4500 伏

  • 1700 伏

  • 175 伏

  • 600 伏

  • 65 伏

  • 480 伏

  • 115 伏

  • 400 伏

  • 415 伏

  • 230 伏

  • 三十六 五

  • 450 伏

  • 700 伏

  • 800 伏

  • 275 伏

  • 650 伏

  • 70 伏

  • 550 伏

  • 900 伏

  • 130 伏

  • 280 伏

  • 3300 伏

  • 1100 伏

  • 1200 伏

  • 1400 伏

  • 2200 伏

  • 330 伏

  • 620 伏

  • 850 伏

  • 三十三 五

  • 55 伏

  • 950 伏

  • 22V

  • 82V

  • 43V

  • 45V

  • 38V

  • 34V

  • 560伏

  • 640伏

  • 19伏

电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C
  • 25A(Ta)、134A(Tc)

  • 23A(Ta),60A(Tc)

  • 14.7A(电流值)

  • 174 毫安(Ta)

  • 14.6A(Ta)、52.1A(Tc)

  • 7.8A(Ta)、21.2A(Tc)

  • 5.4A(Ta), 12.9A(Tc)

  • 3.7A(Tj)

  • 10.5安培(结温)

  • 407 毫安(电流值)

  • 192 毫安(电流值)

  • 29A(钽)、204A(钽)

  • 30毫安

  • 25毫安

  • 50毫安

  • 20毫安

  • 130毫安

  • 100毫安

  • 60毫安

  • 120毫安

  • 600毫安

  • 250毫安

  • 1A

  • 23A

  • 27A

  • 2.4A

  • 10A

  • 5A

  • 40A

  • 60A

  • 110A

  • 16A

  • 6A

  • 12A

  • 7.5A

  • 3A

  • 2A

  • 3.8A

  • 4A

  • 15A

  • 7.2A

  • 4.3A

  • 30A

  • 8A

  • 14A

  • 18A

  • 35A

  • 8.4A

  • 20A

  • 29A

  • 17A

  • 25A

  • 2.2A

  • 80A

  • 100A

  • 3.6A

  • 4.5A

  • 1.1A

  • 1.6A

  • 4.2A

  • 13.5A

  • 50A

  • 750毫安

  • 4.1A

  • 5.3A

  • 55A

  • 75A

  • 700毫安

  • 6.6A

  • 7A

  • 13A

  • 9A

  • 120A

  • 32A

  • 70A

  • 150A

  • 90A

  • 180A

  • 200A

  • 63A

  • 175A

  • 45A

  • 22A

  • 73A

  • 28A

  • 250A

  • 11A

  • 130A

  • 140A

  • 320毫安

  • 2.8A

  • 19A

  • 5.5A

  • 65A

  • 3.7A

  • 6.5A

  • 38A

  • 42A

  • 33A

  • 85A

Rds On(最大值)@ Id、 Vgs
  • 65毫欧@12A,4.5V

  • 34mOhm @ 38.3A,18V

  • 23毫欧@3A、5V

  • 60mOhm@12A,4.5V

  • 150 欧姆 @ 7.5A,10V

  • 15毫欧@18A,10V

  • 142 毫欧 @ 8.9A,18V

  • [email protected],18V

  • 240mOhm@6A,10V

  • [email protected],10V

  • [email protected],10V

  • 400 毫欧 @ 4A,10V

  • 3.6欧姆@600mA,15V

  • 2.6欧姆@600mA,15V

  • 10A、10V 时为 400 毫欧

  • 14A、10V 时为 12.9 毫欧

  • 208mOhm@10A,15V

  • 64毫欧姆@20.1A,18V

  • 10.5毫欧@10A,5V

  • 3.5欧姆@1.7A,10V

  • 1.1毫欧姆@50A,5V

  • 250 毫欧 @ 8A,10V

  • 3.6A、18V 时为 346 毫欧

  • 6毫欧@12A,4.5V

  • 200毫欧@300毫安,4.5伏

  • 2.6欧姆@200mA,10V

  • 11.5毫欧@8A,10V

  • 28.2 毫欧 @ 20 安,10 伏

  • 41.3 毫欧 @ 2A,10V

  • 14.4毫欧姆@20A,10V

  • 9.3毫欧姆@40A,10

  • 15毫欧姆@42A,10V

  • 4A、10V 时为 8.4 毫欧

  • 71毫欧@19A,10V

  • 18毫欧姆@4.2A,10V

  • 293毫欧姆@500微安,4.5伏

  • 59毫欧姆@2.8A,2.5V

  • 1.725 欧姆 @ 2.5A,10V

  • 20 毫欧 @ 17A,10V

  • 30 毫欧 @ 41.1A,18V

  • 175毫欧@1A,4.5V

  • 12毫欧@23A,10V

  • 26 毫欧 @ 4A,10V

  • 4.5毫欧姆@42A,10V

  • 30 毫欧 @ 23A,10V

  • 9.5毫欧姆@41A,10V

  • 800 毫欧 @ 300 毫安,10 伏

  • 60 毫欧 @ 6A,10V

  • 52毫欧姆@8A,10V

  • 1.85毫欧姆@250毫安,10伏

  • 175毫欧姆@800mA,4.5V

  • 25毫欧@4A,4.5V

  • 1.4欧姆@500mA,4.5V

  • 6.5A、10V 时为 46 毫欧

  • 10A、10V 时为 9.4 毫欧

  • 53 毫欧 @ 4A,10V

  • 450毫欧@200毫安,4.5伏

  • 30 毫欧 @ 6A,10V

  • 5毫欧@186A,10V

  • 36毫欧姆@5.9A,10V

  • 3欧姆@500mA,10V

  • 7.5欧姆@500mA,10V

  • 8欧姆@150mA,4.5V

  • 5欧姆@200mA,4.5V

  • 300毫欧@500毫安,4.5伏

  • 4.2欧姆@200毫安,10伏

  • 4.2欧姆@160毫安,10伏

  • 1.2欧姆@500mA,4.5V

  • 1.45欧姆@500mA,10V

  • 400毫欧@500毫安,4.5伏

  • 12欧姆@10毫安,4伏

  • 21毫欧@8A,10V

  • 28 毫欧 @ 6A,10V

  • 10A、10V 时为 7 毫欧

  • 90 毫欧 @ 3A,10V

  • 52 毫欧 @ 4A,10V

  • 3.3毫欧姆@40A,10V

  • 29毫欧姆@5A,4.5V

  • 4欧姆@10毫安,4伏

  • 630 毫欧 @ 200 毫安,5 伏

  • 1.4欧姆@350mA,4.5V

  • 620 毫欧 @ 600 毫安,4.5 伏

  • 550毫欧@540毫安,4.5伏

  • 20 欧姆 @ 10 毫安,4 伏

  • 8欧姆@10毫安,4伏

  • 62毫欧姆@2.5A,4.5V

  • 225毫欧@1.6A,4.5V

  • 1.4欧姆@200mA,10V

  • 20 毫欧 @ 9A,10V

  • 35毫欧姆@4.5A,10V

  • 900 毫欧 @ 430 毫安,4.5 伏

  • 23 毫欧 @ 7A,10V

  • 30 毫欧 @ 5A,10V

  • 38 毫欧 @ 3A,4.5V

  • 50毫欧@4A,4.5V

  • 54毫欧姆@3.5A,4.5V

  • 25毫欧@5A,10V

  • 14A、10V 时为 11.5 毫欧

  • 22 毫欧 @ 5A,10V

  • 24 毫欧 @ 7.8A,10V

Vgs(th)(最大值)@ Id
  • 5.7V@11mA

  • 5.7V@3mA

  • 5.7V@4mA

  • 2.2V @ 600µA(典型值)

  • 2.7V@5mA(典型值)

  • 5.7V@6mA

  • 2.5V @ 28mA

  • 700mV @ 250µA(典型值)

  • 3.5V@1mA(典型值)

  • [email protected]

  • 1V @ 250µA

  • 950 毫伏 @ 250 微安

  • 1.2V@1mA

  • 2.5V@1mA

  • 2.4V @ 250µA

  • 1伏@1毫安

  • 4.5V @ 250µA

  • 2V @ 250µA

  • [email protected]

  • 5伏@10毫安

  • 3V @ 250µA

  • 2.5V @ 250µA

  • 1.5V @ 250µA

  • 1.2V @ 250µA

  • 1.1V @ 10µA

  • 2.5V @ 5mA

  • 2.2V @ 250µA

  • 4V @ 250µA

  • 2.5V@7mA

  • 1.5V @ 100µA

  • 1.1V @ 250µA

  • 1.7V @ 100µA

  • 1.5V@1µA

  • 1.5V@1mA

  • 1V @ 250µA(最小值)

  • [email protected]

  • 1.4V @ 250µA

  • 4伏@1毫安

  • 1.9V @ 250µA

  • 3.7V @ 250µA

  • 2.4V@4mA

  • 2.8V@2mA

  • 2.25V @ 25µA

  • 2.1V @ 250µA

  • 800毫伏@1毫安

  • 2伏@1毫安

  • 2.3V@1mA

  • 1.3V @ 250µA

  • 900 毫伏 @ 250 微安

  • 1.25V @ 250µA

  • 2.5V @ 100µA

  • 2.6V @ 250µA

  • 2.3V @ 250µA

  • 1.5V @ 250A

  • 1.2V @ 3.7µA

  • 2.3V @ 10µA

  • 1.3V@1mA

  • 1.2V @ 25µA

  • 700 毫伏 @ 250 微安

  • 4.5V@1mA

  • 3伏@1毫安

  • 1.8V @ 250µA

  • 1V@100µA

  • 800 毫伏 @ 250 微安

  • 1.1V @ 100µA

  • 2.1V@1mA

  • 2.6V@1mA

  • 2.55V @ 250µA

  • 4V @ 10µA

  • 3.5V @ 250µA

  • 2.7V @ 250µA

  • 1.6V @ 250µA

  • 2.2V @ 10µA

  • 2.5V @ 600µA

  • 2.5V @ 700µA

  • 0.9V @ 250µA

  • 3.3V @ 250µA

  • 4V @ 22µA

  • 2V @ 21µA

  • 5伏@1毫安

  • 4V @ 20µA

  • 3.8V @ 250µA

  • 2.8V @ 250µA

  • 2V @ 30µA

  • 2.2V @ 20µA

  • 2V @ 25µA

  • 3.6V @ 250µA

  • 900 毫伏 @ 100 微安

  • 5V @ 250µA

  • 2.2V@1mA

  • 2.35V @ 25µA

  • 3.6V@1mA

  • 2.2V @ 25µA

  • 2.1V @ 35µA

  • 2V @ 3.7µA

  • 2V @ 11µA

  • 3伏@5.85毫安

  • 3伏@4.38毫安

  • 2V @ 50µA

  • 2.4V @ 50µA

栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs
  • 500 纳克 @ 4.5 伏

  • 15nC@18V

  • 22nC@18V

  • 15 V 时为 23 纳克

  • 18V 时 33 纳克

  • 18V 时 6 纳克

  • 10 V 时为 0.56 纳克

  • 4.5V 时为 0.38 纳克

  • 8V 时为 15.5nC

  • 10 V 时 58.2 纳克

  • 18V 时为 67 纳克

  • 10V 时为 13nC

  • 0.8nC @ 4.5V

  • 4.5V 时为 1.4nC

  • 10V 时为 18nC

  • 10V 时为 27nC

  • 10V 时为 25nC

  • 4.5V 时为 17nC

  • 10V 时 7nC

  • 4.5V 时为 11nC

  • 10V 时为 24 纳克

  • 4.5V 时为 12nC

  • 10V 时为 32nC

  • 10nC@10V

  • 10V 时为 14nC

  • 0.6nC @ 4.5V

  • 10V 时为 12.3nC

  • 4.5V 时为 6nC

  • 10V 时为 10.5nC

  • 10V 时为 22nC

  • 4.5V 时为 10nC

  • 0.31nC @ 4.5V

  • 10V 时为 6.7nC

  • 4.5V 时为 13nC

  • 10V 时为 11.8nC

  • 10V 时为 33.5nC

  • 4.5V 时为 8.3nC

  • 10V 时为 33nC

  • 10V 时为 28.6nC

  • 4.5V 时为 28nC

  • 10V 时为 8.1nC

  • 0.5nC @ 4.5V

  • 4.5V 时为 8.4nC

  • 10nC @ 5V

  • 5V 时 7.7nC

  • 10V 时为 1.2nC

  • 5V 时为 26.7nC

  • 10V 时为 33.7nC

  • 10V 时为 36nC

  • 10V 时为 13.6nC

  • 10V 时为 17.7nC

  • 10V 时为 53nC

  • 5V 时为 22.6nC

  • 10V 时为 8.8nC

  • 10V 时为 10.4nC

  • 10V 时为 11.2nC

  • 45V 时为 3.8nC,45V 时为 7.4nC

  • 10V 时为 14.6nC

  • 4.5V 时 39nC

  • 4.5V 时为 3nC,4.5V 时为 6.4nC

  • 10 V 时为 21 纳克

  • 10 V 时 460 纳克

  • 10 V 时 170 纳克

  • 10 V 时为 139 纳克

  • 15 V 时为 12 纳克

  • 10 V 时为 42 纳克

  • 10V 时 108 纳克

  • 10 V 时为 167 纳克

  • 10 V 时 84 纳克

  • 10 V 时 210 纳克

  • 10 V 时为 268 纳克

  • 10 V 时 209 纳克

  • 5 V 时 37.5 纳克

  • 10 V 时为 116 纳克

  • 10 V 时 304 纳克

  • 10 V 时 208 纳克

  • 10 V 时 81 纳克

  • 10 V 时 78 纳克

  • 10 V 时为 197 纳克

  • 10 V 时 180 纳克

  • 10 V 时 56 纳克

  • 10 V 时 87 纳克

  • 10 V 时 92 纳克

  • 10 V 时为 119 纳克

  • 18 纳克(15 伏)

  • 10 V 时为 110 纳克

  • 15 V 时 54 纳克

  • 10 V 时 220 纳克

  • 10 V 时为 123 纳克

  • 20 V 时 57 纳克

  • 10 V 时 300 纳克

  • 10V 时 103 纳克

  • 15 V 时 51 纳克

  • 10 V 时 65 纳克

  • 10 V 时为 122 纳克

  • 18V 时 60 纳克

  • 12 V 时 43 纳克

  • 10 V 时 240 纳克

  • 10V 时为 107 纳克

  • 0V 时为 22 纳克

输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds
  • 2131pF @ 400V

  • 100V 时 8360pF

  • 628 pF @ 280 V

  • 15 V 时 2783 pF

  • 30 V 时 7460 pF

  • 1318pF@50V

  • 509pF@25V

  • 496pF @ 400V

  • 744pF @ 400V

  • 2680 pF @ 20V

  • 800 V 时 724 pF

  • 400V 时为 1118pF

  • 600V 时为 1503pF

  • 50V 时 664pF

  • 2366 pF(50 V 时)

  • 20V 时为 4523pF

  • 1386 pF(37 V 时)

  • 41pF@50V

  • 400 V 时为 201 pF

  • 1246 pF(6 V 时)

  • 16V 时 32pF

  • 362pF @ 20V

  • 15V 时为 21.8pF

  • 48pF@25V

  • 15 V 时为 22.6 pF

  • 10V 时为 2386pF

  • 1925 pF(50 V 时)

  • 1028 pF(60 V 时)

  • 2028 pF @ 30 V

  • 40 V 时为 1826 pF

  • 1000V 时为 111pF

  • 2400 pF @ 75 V

  • 1370 pF @ 800 V

  • 255 pF(25 伏)

  • 212 pF @ 50 V

  • 10V 时为 1151pF

  • 573 pF(30 V 时)

  • 1720 pF @ 50 V

  • 34pF @ 10V

  • 400V 时为 2288pF

  • 40 pF @ 30 V

  • 15V 时为 371.3pF

  • 36 pF @ 30 V

  • 50pF @ 10V

  • 393pF @ 15V

  • 635pF @ 15V

  • 1300pF@10V

  • 520pF @ 25V

  • 22pF @ 25V

  • 113pF@10V

  • 660pF @ 15V

  • 740pF @ 15V

  • 570pF@15V

  • 1130pF@15V

  • 900pF@10V

  • 775pF @ 10V

  • 1986pF @ 50V

  • 420pF @ 25V

  • 750pF @ 10V

  • 1765pF@13V

  • 1350pF@13V

  • 340pF @ 10V

  • 11pF@10V

  • 1333pF@10V

  • 3065pF @ 25V

  • 1640pF @ 20V

  • 955pF @ 20V

  • 564pF @ 25V

  • 811pF @ 25V

  • 637pF @ 30V

  • 490pF @ 25V

  • 4020pF @ 25V

  • 2940pF @ 25V

  • 2480pF @ 25V

  • 984pF @ 20V

  • 1100pF@12V

  • 1260pF@15V

  • 750pF @ 20V

  • 710pF@10V

  • 760pF@10V

  • 647pF @ 10V

  • 383pF @ 15V

  • 12.5V 时为 494pF,12.5V 时为 970pF

  • 1060pF @ 25V

  • 1130pF@20V

  • 3750pF@15V

  • 340pF @ 15V,730pF @ 15V

  • 1425 pF(25 V 时)

  • 14240 pF @ 25 V

  • 6860 pF @ 50 V

  • 40V 时为 9961pF

  • 800V 时为 334pF

  • 400V 时为 1819pF

  • 8205 pF @ 75 V

  • 11550 pF @ 25 V

  • 6040 pF(25 V 时)

  • 25 V 时 4500 pF

  • 20930 pF(30 V 时)

  • 8250 pF @ 25 V

  • 1000V 时为 139pF

电压 - 测试
  • 二十八 五

  • 三十六 五

噪声系数
  • 1.6分贝

  • 1.2分贝

当前 - 测试
  • 10 毫安

  • 50毫安

  • 15 毫安

  • 1.1

驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
  • 10伏

  • 4伏

  • 20伏

  • 2.5伏

  • 6伏

  • 12伏

  • 5伏

  • 1.5伏

  • 5伏、20伏

  • 2.8伏

  • 7伏

  • 18伏

  • 8伏

  • 15伏

  • 11伏

  • 45伏

  • 13伏

  • 4.5伏

  • 6.2伏

  • 1.8V、3.3V

  • 1.8伏、5伏

  • 3伏、5伏

  • 2.5伏、5伏

  • 1.8V、2.5V

  • 1.2伏、5伏

  • ±20V

  • 1.2伏、2.5伏

  • 12伏、15伏

  • 1.8V、2.7V

  • 4.5伏、5伏

  • 5伏、10伏

  • 1.5伏、2.5伏

  • 3伏、10伏

  • 3伏、8伏

  • 2伏、4.5伏

  • 1.8伏、4伏

  • 0.9V、2.5V

  • 6伏、10伏

  • 7伏、10伏

  • 15伏,18伏

  • 4.5伏、10伏

  • 4伏、10伏

  • 0伏、10伏

  • 4伏、5伏

  • 2伏、5伏

  • 8伏、10伏

  • 0伏

  • 2.5伏、4.5伏

  • 0.9V、4.5V

  • 1.2V、4.5V

  • 1.8V、4.5V

  • 1.5伏、4.5伏

  • 1.5伏、4伏

  • 1.8伏、10伏

  • 7.5伏、10伏

  • 2.8伏、10伏

  • 2.5伏、10伏

  • 1.8伏、8伏

  • 3.5伏、10伏

  • 0.35伏

  • 2.7V、4.5V

  • 2.5伏、8伏

  • 2.5伏、4伏

  • 1.2伏、10伏

  • 1.65伏、4.5伏

  • 3.3伏、10伏

  • 1.2伏、3伏

  • 2.8V、4.5V

  • 1.95伏、4.5伏

  • 3伏、4.5伏

  • 4.5伏、11.5伏

  • 3.3V、4.5V

  • 1.2伏、4伏

  • 1.5伏、5伏

  • 1.3V、4.5V

  • 3.7伏、10伏

  • 10伏、12伏

  • 10伏、15伏

  • 1.7伏、4.5伏

  • 5伏、25伏

  • 10伏、5伏

  • 2.7伏、10伏

  • 1.5伏、3.7伏

  • 4.3伏、10伏

  • 2.4伏、10伏

  • 2.75伏、5伏

  • 2.8伏、8伏

  • 10伏、20伏

  • 10伏、16伏

  • 6.5伏、10伏

  • 15伏、10伏

  • 2.6伏、5伏

  • 4.5伏、20伏

  • 2.5伏、8.5伏

  • 6伏、20伏

  • 5.5伏、10伏

  • 18伏,20伏

  • 1.5伏、8伏

  • 3.8V、10V

  • 4.5伏、8伏

电压 (最大值)
  • 10伏

  • 16伏

  • 25伏

  • 20伏

  • 30伏

  • 6伏

  • 12伏

  • 21伏

  • 8伏

  • 15伏

  • 40伏

  • ±40V

  • -20 伏

  • ±15V

  • ±5V

  • ±18V

  • ±12V

  • ±10V

  • -5 伏

  • -12 伏

  • ±16V

  • ±20V

  • ±30V

  • ±13V

  • ±14V

  • ±7V

  • ±35V

  • ±6V

  • ±5.5V

  • -10 伏

  • ±8V

  • +20 伏、 -5 伏

  • +20 伏、 -10 伏

  • ±25V

  • +22 伏、 -6 伏

  • +22 伏、 -4 伏

  • +23 伏、 -7 伏

  • +25 伏, -10 伏

  • +22 伏、 -10 伏

  • +25 伏, -15 伏

  • +30 伏, -20 伏

  • +16 伏, -12 伏

  • +6 伏、 -4 伏

  • +12 伏、 -6 伏

  • -6伏

  • +5.75 伏, -4 伏

  • ±45V

  • +10 伏、 -8 伏

  • +19 伏、 -8 伏

  • +6 伏、 -8 伏

  • -8 伏

  • +20 伏、 -25 伏

  • +20 伏、 -12 伏

  • ±50V

  • +18 伏、 -8 伏

  • +15 伏、 -4 伏

  • +22 伏、 -8 伏

  • +23 伏、 -10 伏

  • +19 伏、 -10 伏

  • +5.5伏, -300毫伏

  • +12 伏、 -20 伏

  • +18 伏、 -15 伏

  • +20 伏, -2 伏

  • ±22V

  • +10 伏、 -5 伏

  • +20 伏, -16 伏

  • +15 伏, -300 毫伏

  • -6.5伏

  • +7.5 伏、 -12 伏

  • +0.6 伏, -12 伏

  • +22 伏, -20 伏

  • +7 伏、 -4 伏

  • +10 伏, -20 伏

  • ±9V

  • ±17V

  • +20 伏、 -8 伏

  • +30 伏、 -25 伏

  • +25 伏, -300 毫伏

  • +21 伏、 -8 伏

  • +5 伏、 -16 伏

  • +2 伏, -15 伏

  • +16 伏、 -20 伏

  • +12 伏、 -8 伏

  • 钳制

  • +20 伏、 -7 伏

  • +16 伏、 -10 伏

  • +6 伏、 -12 伏

  • +25, -15伏

  • ±25V, -10V

  • ±21V

  • +21 伏、 -4 伏

  • ±320V

  • +21 伏, -10 伏

  • +6 伏、 -5 伏

  • +3 伏、-16 伏

  • +25 伏、 -5 伏

  • +21 伏, -16 伏

  • +8 伏、 -10 伏

  • +8 伏、 -12 伏

  • -8 伏、 0 伏

I G B T类型
  • 沟槽式场截止阀

Vce(on)(最大值)@ Vge, Ic
  • 1.8V @ 15V,40A

电流 - 集电极脉冲 ( Icm)
  • 120 一

转换能源
  • 1.06mJ(开启),610µJ(关闭)

栅极电荷
  • 177 纳克

Td(开/关)@25° C
  • 18纳秒/222纳秒

测试条件
  • 400V,40A,10.1欧姆,15V

电流 - 暗(典型值)
  • 0.02pA

活动区域
  • 14μm 高 x 14μm 宽 (X3)

遵守
  • 无铅 无卤素

系列
  • 汽车、AEC-Q101、CoolSiC™

  • G3R™

  • HiPerFET™、Polar™

  • 汽车、AEC-Q101、eGaN®

  • FemtoFET™

  • G2R™

  • 汽车、AEC-Q101、SuperMESH5™

  • 汽车、AEC-Q101、U-MOSVI

  • OptimWatt™

  • 汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H

  • CoolMOS CE™

  • PSPICE®

  • 汽车、AEC-Q101、U-MOSVII-H

  • 场效应晶体管

  • CoolMOS CFD2™

  • 汽车、AEC-Q101、CoolMOS™ CFD7

  • 超导MOSV

  • SI9xxx

  • OptiMOS™3M

  • CoolMOS™PFD7

  • SuperMOS™

  • 电子氮化镓®

  • CoolMOS™ PFD7

  • 超X4

  • SD213

  • SD214DE

  • SD215

  • 汽车、AEC-Q101、SuperFET® II

  • 汽车、AEC-Q101、CoolMOS™ CFD7A

  • 汽车、AEC-Q101、SIPMOS®

  • 韓軟體

  • DeepGATE™、STRipFET™ H6

  • CoolMOS™S7

  • 汽车、AEC-Q101、OptiMOS®-P2

  • OptiMOS™、StrongIRFET™

  • OptiMOS®-P2

  • 汽车、AEC-Q101、MDmeshTM K5

  • C2M™

  • 汽车、AEC-Q101、TrenchFET® Gen IV

  • 网格覆盖™ III

  • CoolMOS™ C3

  • 超级GaN™

  • 汽车电子,OptiMOS™-P2

  • TrenchFET®、WFET®

  • 汽车、AEC-Q101、MESH OVERLAY™、MESH OVERLAY™

  • 汽车、AEC-Q101、STripFET™ V

  • 西门子®

  • UltraFRFET™、Unifet™ II

  • 汽车、AEC-Q101、DeepGATE™、STripFET™ VII

  • OptiMOS™-P 3

  • OptiMOS-T

  • 汽车、AEC-Q101、MDmesh™

  • 场效应晶体管™

  • OptiMOS™T

  • 汽车、AEC-Q101、TrenchPLUS™

  • OptiMOS™-P

  • 军用,MIL-PRF-19500/543

  • 军用,MIL-PRF-19500/555

  • 军用,MIL-PRF-19500/557

  • 军事,MIL-PRF-19500/556

  • PowerTrench™

  • 直接场效应晶体管

  • SST214

  • OptiMOS™-6

  • MDmesh™ M8

  • OptiMOS®-P

  • STripFET™ F3

  • BSS138L

  • 汽车

  • 年代

  • SOT-23

  • 极性

  • 线性 (Linear)

  • TP65H070L

  • *

  • SMPD

  • 发光

  • 汽车、AEC-Q101

  • 汽车、AEC-Q100

  • 酷氮化镓™

  • NexFET™

  • OptiMOS™

  • 酷碳化硅™

  • HEXFET®

  • MDmesh™ K5

  • 酷MOS™

  • 汽车、AEC-Q101、HEXFET®

  • 韓式硬體

  • 金属氧化物半导体场

  • 场效应晶体管

  • TrenchFET® 第四代

  • 沟槽MOS™

  • TrenchFET® 第三代

  • PowerTrench®

  • 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™

  • TrenchFET®

  • 阿尔法MOS

基本产品编号
  • AOK60

  • NTMFD4

  • 18 号

  • FDMS36

  • NX7002

  • IXFY36

  • IRFP7430

  • IRFP4310

  • G3R350

  • FDMT800150

  • FDP020

  • IRFP3703

  • IMZA65

  • UJ3C120040

  • UF3C120040

  • IPW65R019

  • IXTN660

  • IXFX360

  • IXFK360

  • IXTT02

  • MSC015

  • G3R45

  • SCT2080

  • IXTN600

  • G3R20

  • IXTF02

  • SCT3030

  • IXTN60

  • IXTN200

  • MSC025

  • UF3SC120016

  • NTHL020

  • IXTK5

  • IXTX4

  • UF3SC065007

  • IRLS640

  • IRF9Z34

  • VP3203

  • PHP79NQ08

  • IPD65R225

  • AOB66613

  • AOTF360

  • IRLU3110

  • CSD16401

  • IRFI1310

  • FDPF33

  • TSM480

  • HUFA76429

  • IPP147

  • IRF1104

  • IRFB4615

  • CSD17559

  • BSS139

  • AUIRF8736

  • PHP20NQ20

  • IRLS3034

  • IRFP140

  • FQP65

  • IRFB7537

  • FQP12

  • DN3765

  • SCT2H12

  • SCT2750

  • SCT3060

  • SCT3022

  • IRLML6244

  • RU1J002

  • RUC002

  • PMZ290

  • BSS87

  • RV1C002

  • APT11N80

  • FCP104

  • IRF7241

  • STD5N20

  • AOK666

  • ISC019

  • FCP13N60

  • AOSP669

  • IPT60R102

  • TSM260

  • AOTF095

  • FCPF22

  • SIHB100

  • FDT86106

  • FQAF11

  • CSD16340

  • IRLHM630

  • STP33

  • IRF7821

  • BSC052

  • NTHL110

  • SPP21N50

  • IRF8734

  • IPP015

  • TPH7R506

  • 安克2500

  • IXFP38

  • IRFR3910

  • IXTQ22

包装
  • 卷带包装 (TR)切带包装 (CT)

  • 管子

  • 盒子

  • 托盘

  • 10-PowerSOP 模块

  • TO-276AA

  • 3-XFLGA

  • SOT-1235

  • PowerPAK® 8 x 8

  • SOT-103

  • 极地派克

  • PowerPAK® 0806

  • 10-PolarPAK®(小号)

  • 5-PowerSFN

  • PowerPAK® SC-75-6

  • SC-75A

  • PowerPAK® 1212-8S

  • 16-PowerSOP 模块

  • PowerPAK® 1212-8W

  • PowerPAK® SO-8L

  • PowerPAK® 1212-8SLW

  • 22-PowerBSOP 模块

  • 8-PowerBSFN

  • 2-PowerTSFN

  • 10-PolarPAK®(U)

  • 4-FlipFet™

  • 10-PolarPAK® (SH)

  • 10-PolarPAK®(男)

  • 10-PolarPAK® (左)

  • 3-FLGA

  • 大部分

  • 卷带式 (TR)

  • 胶带和盒子 (TB)

  • 切割胶带 (CT)

  • Dasenic-Reel®

定价(美元/单位)
  • 0.0981

通道极性
  • P 沟道

V( B R) D S S 最小值 ( V)
  • -30

最大电压源 ( V)
  • 20

V G S(th) 最大值 ( V)
  • 2.6

最大内径 ( A)
  • -6

最大光焦度 ( W)
  • 1.6

R D S(on) 最大值 @ V G S = 4.5 V (mΩ)
  • 82

R D S(on) 最大值 @ V G S = 10 V (mΩ)
  • 43

Qg 典型值@ V G S = 10 V(n C)
  • 十三

导通电阻类型 (p F)
  • 600

筛选结果:
型号制造商单价库存描述数据文档操作
Rochester Electronics¥ 0.14679284150V 1.4W 100@100mA,10V 1A PNP SOT-223 双极晶体管 - BJT
Nexperia¥ 0.134818310MOSFET N 沟道 30V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia¥ 0.133114025小信号场效应晶体管
Rochester Electronics¥ 345.69903084氧化物半导体场效应晶体管
Nexperia¥ 0.039036410Nexperia PMZB370UNE - 小标牌
Nexperia¥ 0.184336000MOSFET P 通道 20V 4.7A 6TSOP
Rochester Electronics¥ 4.89901732小信号场效应晶体管
Rochester Electronics¥ 0.84242577Nexperia PH9130AL - 小信号
NXP Semiconductors¥ 5.751019020 V,单 P 通道沟槽 MOSFET
Nexperia¥ 0.04135618Nexperia PMZ1000UN - 小型信号
Rochester Electronics¥ 1.2780553Nexperia PMXB65UPE - 小型信号
Nexperia¥ 0.04967200Nexperia PMG85XP - 小信号
Nexperia¥ 0.057557370Nexperia PMN70XPE - 小信号
Rochester Electronics¥ 0.032039658晶体管 NPN 80V 0.5A SOT23
Nexperia¥ 0.117617173SOT-23(TO-236)MOSFET
Rochester Electronics¥ 0.00001942小信号 N 沟道 MOSFET
Infineon Technologies¥ 0.054538852BSS84 - 小信号场效应
Infineon Technologies¥ 0.936014923沟槽<=40V
Onsemi¥ 0.022524000小信号 P 沟道 MOSFET
Onsemi¥ 0.163810800SMC6280 - N 沟道功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor¥ 0.32369518SOT-323-6 MOSFET
Onsemi¥ 0.225314400N沟道功率沟槽MOSFET
Rochester Electronics¥ 0.399217353CPH6424 - N 通道硅 MOSF
Onsemi¥ 0.467820978MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8POWER33
Rochester Electronics¥ 0.41985880功率场效应晶体管,5
Rochester Electronics¥ 0.563012525RF1K4909096 - 功率场效应晶体管,3.5A,12V,2 元件,N 通道,MOSFET,MS-012AA
Rochester Electronics¥ 0.53626222P 沟道功率 MOSFET
Rochester Electronics¥ 0.757642066小信号 N 沟道 MOSFET
International Rectifier(IR)¥ 0.76276174S-CAN 中的 25V 双控制 FET
Rochester Electronics¥ 0.7800459046A,30V,0.028 欧姆,2 元件,N
智能BOM工具
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  • 对比库存价格,优化采购方案

上传 xlsx、xls、docx 或其他 Excel 兼容文件格式

  • RFQ