Diodes Incorporated DMN2011UFX-7
MOSFET 2N 通道 20V 12.2A DFN2050-4
制造商型号 :DMN2011UFX-7
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :605CDE-DS
数据文档 :
DMN2011UFX-7 数据文档
DMN2011UFX-7 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 20V 12.2A DFN2050-4 4-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 6.198300 | ￥ 6.2 |
| 10+ | ￥ 4.185500 | ￥ 41.86 |
| 100+ | ￥ 2.894700 | ￥ 289.47 |
| 500+ | ￥ 2.498500 | ￥ 1249.25 |
| 1000+ | ￥ 2.115100 | ￥ 2115.1 |
库存: 7200
起订量 :1
包装 :4-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 6.1983
合计 :￥ 6.20
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:4-VFDFN 裸露焊盘
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:2.1瓦
- 供应商器件封装:DFN2050-4 型号
- 配置:N 沟道（双）共漏极
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:12.2A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:9.5毫欧@10A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时 56nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2248pF @ 10V
- 基本产品编号:DMN2011
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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