Vishay Intertechnology SQ1539EH-T1_GE3
Mosfet 阵列 30V 850mA (Tc) 1.5W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双
制造商型号 :SQ1539EH-T1_GE3
达森型号 :A1C4FD-DS
数据文档 :
SQ1539EH-T1_GE3 数据文档
SQ1539EH-T1_GE3 数据文档客户# :
描述 : Mosfet 阵列 30V 850mA (Tc) 1.5W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双 Tape & Reel, Cut Tape, Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 2.492100 | ￥ 2.49 |
| 10+ | ￥ 1.546400 | ￥ 15.46 |
| 100+ | ￥ 1.335500 | ￥ 133.55 |
| 250+ | ￥ 1.239700 | ￥ 309.93 |
| 500+ | ￥ 1.175800 | ￥ 587.9 |
库存: 45587
起订量 :1
包装 :Tape & Reel, Cut Tape, Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 2.4921
合计 :￥ 2.49
帮助您节省成本和时间。
严格的质量检验和可靠的包装。
快速可靠的交付，节省时间。
提供365天保修售后服务
- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:PowerPAK® SC-70-6 双
- 功率 - 最大:1.5瓦
- 供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 双
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:850毫安（温度）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1A、10V 时为 280 毫欧，500mA、10V 时为 940 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.6V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 1.4nC，4.5V 时为 1.6nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15V 时为 48pF，15V 时为 50pF
- 包装:卷带包装 (TR)、切割卷带包装 (CT)、Dasenic-Reel®
为您推荐
购物指导
1.登录或以访客身份
2.加入购物车
3. 下订单
4.结账
5. 订单物流追踪
您可以在注册后下订单或以访客身份直接购买产品。
2.加入购物车
通过搜索找到您需要的产品。然后直接将产品添加到您的购物车。
3. 下订单
下单时请填写收货地址和快递信息。如需指定物流快递，请备注或联系我们。
4.结账
您可以直接在网站线上支付订单：微信支付、支付宝，也可以通过线下转账支付：银行转账（收款账户请查看线下支付）。
5. 订单物流追踪
我们将在24小时内发货您的订单并向您提供物流单号，您可以在网站上查看订单信息或联系我们的销售人员进行跟踪。
我们可以快速满足客户对电子元件的需求，即使是市场上稀缺的元件。
相关产品
