Vishay Intertechnology SIZF918DT-T1-GE3
MOSFET 双 N 通道 30V 电源对 6
制造商型号 :SIZF918DT-T1-GE3
达森型号 :090ADE-DS
数据文档 :
SIZF918DT-T1-GE3 数据文档
SIZF918DT-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 双 N 通道 30V 电源对 6 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 9.776700 | ￥ 9.78 |
| 10+ | ￥ 7.987500 | ￥ 79.88 |
| 100+ | ￥ 6.223900 | ￥ 622.39 |
| 500+ | ￥ 5.278100 | ￥ 2639.05 |
| 1000+ | ￥ 4.300500 | ￥ 4300.5 |
库存: 8452
起订量 :1
包装 :8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 9.7767
合计 :￥ 9.78
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-PowerWDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:3.4W（Ta）、26.6W（Tc）、3.7W（Ta）、50W（Tc）
- 供应商器件封装:8-PowerPair® (6x5)
- 配置:2 N 通道（双），肖特基
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:23A（Ta）、40A（Tc）、35A（Ta）、60A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:10A、10V 时为 4 毫欧，10A、10V 时为 1.9 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 22nC，10V 时为 56nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1060pF @ 15V，2650pF @ 15V
- 系列:TrenchFET® 第四代
- 基本产品编号:SIZF918
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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