Vishay Intertechnology SIZF906BDT-T1-GE3
双 N 沟道 30 V (DS) MOSFET
制造商型号 :SIZF906BDT-T1-GE3
达森型号 :0CEA7E-DS
数据文档 :
SIZF906BDT-T1-GE3 数据文档
SIZF906BDT-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : 双 N 沟道 30 V (DS) MOSFET 8-PowerWDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.348000 | ￥ 4.35 |
| 10+ | ￥ 4.281300 | ￥ 42.81 |
| 25+ | ￥ 4.215300 | ￥ 105.38 |
| 50+ | ￥ 4.149200 | ￥ 207.46 |
| 100+ | ￥ 4.083200 | ￥ 408.32 |
库存: 28499
起订量 :1
包装 :8-PowerWDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.348
合计 :￥ 4.35
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8-PowerWDFN
- 功率 - 最大:4.5W（Ta）、38W（Tc）、5W（Ta）、83W（Tc）
- 供应商器件封装:8-PowerPair® (6x5)
- 场效应晶体管类型:2 N 通道（双），肖特基
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:36A（Ta）、105A（Tc）、63A（Ta）、257A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:15A、10V 时为 2.1 毫欧姆，20A、10V 时为 680 微欧姆
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 49nC，10V 时为 165nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1630pF @ 15V，5550pF @ 15V
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