Vishay Intertechnology SI1926DL-T1-BE3
MOSFET 2N 通道 60V 0.37A SOT363
制造商型号 :SI1926DL-T1-BE3
达森型号 :6E8D71-DS
数据文档 :
SI1926DL-T1-BE3 数据文档
SI1926DL-T1-BE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 60V 0.37A SOT363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.751600 | ￥ 17.52 |
| 3000+ | ￥ 0.973100 | ￥ 2919.3 |
| 6000+ | ￥ 0.889200 | ￥ 5335.2 |
| 9000+ | ￥ 0.973100 | ￥ 8757.9 |
| 15000+ | ￥ 0.798600 | ￥ 11979 |
库存: 14172
起订量 :1
包装 :6-TSSOP, SC-88, SOT-363
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.7516
合计 :￥ 1.75
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 功率 - 最大:300mW（温度特性），510mW（工作温度特性）
- 供应商器件封装:SC-70-6
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:340mA（Ta），370mA（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.4欧姆@340mA，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 1.4nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:18.5pF @ 30V
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