Vishay Intertechnology SI1029X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
制造商型号 :SI1029X-T1-GE3
达森型号 :1E3D2B-DS
数据文档 :
SI1029X-T1-GE3 数据文档
SI1029X-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 SOT-563, SOT-666
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.018300 | ￥ 10.18 |
| 380+ | ￥ 0.848600 | ￥ 322.47 |
| 805+ | ￥ 0.794300 | ￥ 639.41 |
| 1250+ | ￥ 0.766800 | ￥ 958.5 |
| 1800+ | ￥ 0.711800 | ￥ 1281.24 |
库存: 32416
起订量 :1
包装 :SOT-563, SOT-666
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.0183
合计 :￥ 1.02
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:SOT-563, SOT-666
- 功率 - 最大:250毫瓦
- 供应商器件封装:SC-89 (SOT-563F)
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:305毫安，190毫安
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.4欧姆@500mA，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:30pF @ 25V
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