Vishay Intertechnology SI1024X-T1-E3
MOSFET 2N 通道 20V 0.485A SOT563F
制造商型号 :SI1024X-T1-E3
达森型号 :2019F3-DS
数据文档 :
SI1024X-T1-E3 数据文档
SI1024X-T1-E3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 20V 0.485A SOT563F SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.364900 | ￥ 13.65 |
| 285+ | ￥ 1.137400 | ￥ 324.16 |
| 685+ | ￥ 0.933600 | ￥ 639.52 |
| 1065+ | ￥ 0.904200 | ￥ 962.97 |
| 1460+ | ￥ 0.875400 | ￥ 1278.08 |
库存: 21168
起订量 :1
包装 :SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.3649
合计 :￥ 1.36
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:SOT-563, SOT-666
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:250毫瓦
- 供应商器件封装:SC-89 (SOT-563F)
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:485毫安
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:700 毫欧 @ 600 毫安，4.5 伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:900 毫伏 @ 250 微安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 系列:TrenchFET®
- 基本产品编号:Si1024
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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