Toshiba TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
制造商型号 :TPC8211(TE12L,Q,M)
制造商 :Toshiba
达森型号 :916066-DS
数据文档 :
TPC8211(TE12L,Q,M) 数据文档
TPC8211(TE12L,Q,M) 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 7.504700 | ￥ 75.05 |
| 3000+ | ￥ 4.169100 | ￥ 12507.3 |
| 6000+ | ￥ 3.949700 | ￥ 23698.2 |
| 9000+ | ￥ 3.657200 | ￥ 32914.8 |
| 30000+ | ￥ 3.621000 | ￥ 108630 |
库存: 2232
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 7.5047
合计 :￥ 7.50
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）
- 功率 - 最大:450毫瓦
- 供应商器件封装:8-SOP（5.5x6.0）
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:5.5A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:36 毫欧 @ 3A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 25nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1250pF@10V
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