Toshiba SSM6N62TU,LF
小信号 MOSFET N-CH X 2 VDS
制造商型号 :SSM6N62TU,LF
制造商 :Toshiba
达森型号 :1F593B-DS
数据文档 :
SSM6N62TU,LF 数据文档
SSM6N62TU,LF 数据文档客户# :
描述 : 小信号 MOSFET N-CH X 2 VDS 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.714300 | ￥ 17.14 |
| 3000+ | ￥ 0.952400 | ￥ 2857.2 |
| 6000+ | ￥ 0.870600 | ￥ 5223.6 |
| 9000+ | ￥ 0.828800 | ￥ 7459.2 |
| 15000+ | ￥ 0.781900 | ￥ 11728.5 |
库存: 15506
起订量 :1
包装 :6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.7143
合计 :￥ 1.71
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:6-SMD，扁平引线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:500毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:UF6
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，1.2V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:800 毫安（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:85毫欧@800mA，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 2nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:177pF@10V
- 基本产品编号:SSM6N62
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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