Texas Instruments CSD87355Q5DT
30V、N 通道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET、SON 5mm x 6mm 电源块、45A
制造商型号 :CSD87355Q5DT
制造商 :Texas Instruments
达森型号 :096D09-DS
数据文档 :
CSD87355Q5DT 数据文档
CSD87355Q5DT 数据文档客户# :
描述 : 30V、N 通道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET、SON 5mm x 6mm 电源块、45A 8-PowerLDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 19.489500 | ￥ 19.49 |
| 10+ | ￥ 16.358400 | ￥ 163.58 |
| 25+ | ￥ 16.230600 | ￥ 405.77 |
| 100+ | ￥ 13.291200 | ￥ 1329.12 |
| 250+ | ￥ 12.460500 | ￥ 3115.13 |
库存: 5250
起订量 :1
包装 :8-PowerLDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 19.4895
合计 :￥ 19.49
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～155℃（高温）
- 封装/箱体:8-PowerLDFN
- 功率 - 最大:2.8瓦
- 供应商器件封装:8-LSON（5x6）
- 场效应晶体管类型:2 N 沟道（双）不对称
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，5V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:45A
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.9V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 13.7nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1860pF@15V
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