Texas Instruments CSD86311W1723
25V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共源 WLP1.7 mm x 2.3 mm、42 毫欧姆
制造商型号 :CSD86311W1723
制造商 :Texas Instruments
达森型号 :740170-DS
数据文档 :
CSD86311W1723 数据文档
CSD86311W1723 数据文档客户# :
描述 : 25V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共源 WLP1.7 mm x 2.3 mm、42 毫欧姆 12-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 8.434800 | ￥ 8.43 |
| 10+ | ￥ 5.476200 | ￥ 54.76 |
| 100+ | ￥ 3.904300 | ￥ 390.43 |
| 500+ | ￥ 3.150300 | ￥ 1575.15 |
| 1000+ | ￥ 2.741300 | ￥ 2741.3 |
库存: 9000
起订量 :1
包装 :12-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 8.4348
合计 :￥ 8.43
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:12-UFBGA，DSBGA
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:1.5瓦
- 供应商器件封装:12-DSBGA
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):25伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4.5A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:39毫欧@2A，8V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时 4nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:585pF @ 12.5V
- 系列:NexFET™
- 基本产品编号:CSD86311
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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