Texas Instruments CSD75208W1015T
-20 V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共源 WLP 1 mm x 1.5 mm、108 mOhm、栅极 ESD 保护
制造商型号 :CSD75208W1015T
制造商 :Texas Instruments
达森型号 :08AE89-DS
数据文档 :
CSD75208W1015T 数据文档
CSD75208W1015T 数据文档客户# :
描述 : -20 V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共源 WLP 1 mm x 1.5 mm、108 mOhm、栅极 ESD 保护 6-UFBGA, DSBGA
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 7.092900 | ￥ 7.09 |
| 10+ | ￥ 5.802100 | ￥ 58.02 |
| 100+ | ￥ 3.457000 | ￥ 345.7 |
| 250+ | ￥ 3.457000 | ￥ 864.25 |
| 500+ | ￥ 3.124700 | ￥ 1562.35 |
库存: 11645
起订量 :1
包装 :6-UFBGA, DSBGA
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-UFBGA，DSBGA
- 功率 - 最大:750毫瓦
- 供应商器件封装:6-DSBGA（1x1.5）
- 场效应晶体管类型:2 P 沟道（双）共源
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1.6A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:68毫欧@1A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.1V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 2.5nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:410pF@10V
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