Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
制造商型号 :TSM2537CQ RFG
制造商 :Taiwan Semiconductor
达森型号 :E5CC50-DS
数据文档 :
TSM2537CQ RFG 数据文档
TSM2537CQ RFG 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN 6-VDFN Exposed Pad
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.131800 | ￥ 1.32 |
| 500+ | ￥ 0.109800 | ￥ 54.9 |
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起订量 :1
包装 :6-VDFN Exposed Pad
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-VDFN 裸露焊盘
- 功率 - 最大:6.25 瓦
- 供应商器件封装:6-TDFN（2x2）
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，1.8V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:11.6A（温度系数），9A（温度系数）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6.4A、4.5V 时为 30 毫欧，5A、4.5V 时为 55 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 9.1nC，4.5V 时为 9.8nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:677pF（10V 时），744pF（10V 时）
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