ROHM Semiconductor SP8K22FU6TB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
制造商型号 :SP8K22FU6TB
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :CC0080-DS
数据文档 :
SP8K22FU6TB 数据文档
SP8K22FU6TB 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 28.116000 | ￥ 28.12 |
| 10+ | ￥ 23.714000 | ￥ 237.14 |
| 100+ | ￥ 18.176000 | ￥ 1817.6 |
| 500+ | ￥ 15.620000 | ￥ 7810 |
库存: 2392
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 28.116
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:2瓦
- 供应商器件封装:8-标准操作程序
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):45伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4.5A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4.5A、10V 时为 46 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5V 时为 9.6nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:550pF@10V
- 基本产品编号:SP8K22
- 包装:卷带式 (TR)
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