ROHM Semiconductor QS8J2TR
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
制造商型号 :QS8J2TR
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :F83F23-DS
数据文档 :
QS8J2TR 数据文档
QS8J2TR 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 8-SMD, Flat Lead Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.441100 | ￥ 4.44 |
| 20+ | ￥ 3.533700 | ￥ 70.67 |
| 50+ | ￥ 2.396300 | ￥ 119.82 |
| 100+ | ￥ 2.019200 | ￥ 201.92 |
| 300+ | ￥ 1.770000 | ￥ 531 |
库存: 8887
起订量 :1
包装 :8-SMD, Flat Lead Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.4411
合计 :￥ 4.44
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SMD，扁平引线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:550毫瓦
- 供应商器件封装:TSMT8
- 配置:2 个 P 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门，1.5V 驱动
- 漏源电压 ( Vdss):12伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4A、4.5V 时为 36 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 20nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1940pF @ 6V
- 基本产品编号:QS8J2
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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