ROHM Semiconductor HS8K11TB
MOSFET 2N 通道 30V 7A/11A HSML
制造商型号 :HS8K11TB
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :E29CFD-DS
数据文档 :
HS8K11TB 数据文档
HS8K11TB 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 30V 7A/11A HSML 8-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.536900 | ￥ 4.54 |
| 10+ | ￥ 3.834000 | ￥ 38.34 |
| 100+ | ￥ 2.575200 | ￥ 257.52 |
| 500+ | ￥ 2.012900 | ￥ 1006.45 |
| 1000+ | ￥ 1.782800 | ￥ 1782.8 |
库存: 18000
起订量 :1
包装 :8-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.5369
合计 :￥ 4.54
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-UDFN 裸露焊盘
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:2瓦
- 供应商器件封装:HSML3030L10
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:7A、11A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:17.9 毫欧 @ 7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 11.1nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:500pF @ 15V
- 基本产品编号:HS8K11
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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