Rochester Electronics SI6953DQ
P 沟道 MOSFET
制造商型号 :SI6953DQ
达森型号 :E5BE9C-DS
数据文档 :
SI6953DQ 数据文档
SI6953DQ 数据文档客户# :
描述 : P 沟道 MOSFET 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 2.007700 | ￥ 2.01 |
| 25+ | ￥ 1.967500 | ￥ 49.19 |
| 100+ | ￥ 1.887000 | ￥ 188.7 |
| 500+ | ￥ 1.807100 | ￥ 903.55 |
| 1000+ | ￥ 1.706800 | ￥ 1706.8 |
库存: 4500
起订量 :1
包装 :8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 2.0077
合计 :￥ 2.01
帮助您节省成本和时间。
严格的质量检验和可靠的包装。
快速可靠的交付，节省时间。
提供365天保修售后服务
- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:600毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:8-TSSOP
- 配置:2 个 P 通道（双）
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1.9A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.9A、10V 时为 170 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10nC@10V
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:218pF@10V
- 系列:PowerTrench®
- 基本产品编号:SI6953
- 包装:大部分
为您推荐
购物指导
1.登录或以访客身份
2.加入购物车
3. 下订单
4.结账
5. 订单物流追踪
您可以在注册后下订单或以访客身份直接购买产品。
2.加入购物车
通过搜索找到您需要的产品。然后直接将产品添加到您的购物车。
3. 下订单
下单时请填写收货地址和快递信息。如需指定物流快递，请备注或联系我们。
4.结账
您可以直接在网站线上支付订单：微信支付、支付宝，也可以通过线下转账支付：银行转账（收款账户请查看线下支付）。
5. 订单物流追踪
我们将在24小时内发货您的订单并向您提供物流单号，您可以在网站上查看订单信息或联系我们的销售人员进行跟踪。
我们可以快速满足客户对电子元件的需求，即使是市场上稀缺的元件。
相关产品
