Rochester Electronics BSO330N02KG
BSO330N02 - 功率场效应晶体管，4.2A，20V，0.03ohm，2 元件，N 通道，MOSFET
制造商型号 :BSO330N02KG
达森型号 :213B54-DS
数据文档 :
BSO330N02KG 数据文档
BSO330N02KG 数据文档客户# :
描述 : BSO330N02 - 功率场效应晶体管，4.2A，20V，0.03ohm，2 元件，N 通道，MOSFET 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.584000 | ￥ 1.58 |
| 25+ | ￥ 1.552800 | ￥ 38.82 |
| 100+ | ￥ 1.488900 | ￥ 148.89 |
| 500+ | ￥ 1.425700 | ￥ 712.85 |
| 1000+ | ￥ 1.346200 | ￥ 1346.2 |
库存: 1746
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.584
合计 :￥ 1.58
帮助您节省成本和时间。
严格的质量检验和可靠的包装。
快速可靠的交付，节省时间。
提供365天保修售后服务
- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:1.4瓦
- 供应商器件封装:PG-DSO-8
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:5.4A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.2V @ 20µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.9nC @ 4.5V
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:730pF@10V
- 系列:OptiMOS™
- 基本产品编号:BSO330N02
- 包装:大部分
为您推荐
购物指导
1.登录或以访客身份
2.加入购物车
3. 下订单
4.结账
5. 订单物流追踪
您可以在注册后下订单或以访客身份直接购买产品。
2.加入购物车
通过搜索找到您需要的产品。然后直接将产品添加到您的购物车。
3. 下订单
下单时请填写收货地址和快递信息。如需指定物流快递，请备注或联系我们。
4.结账
您可以直接在网站线上支付订单：微信支付、支付宝，也可以通过线下转账支付：银行转账（收款账户请查看线下支付）。
5. 订单物流追踪
我们将在24小时内发货您的订单并向您提供物流单号，您可以在网站上查看订单信息或联系我们的销售人员进行跟踪。
我们可以快速满足客户对电子元件的需求，即使是市场上稀缺的元件。
相关产品
