PANJIT Semiconductor PJT138L_R1_00001
MOSFET 60V N 沟道增强型 MOSFET
制造商型号 :PJT138L_R1_00001
制造商 :PANJIT Semiconductor
达森型号 :28FD3E-DS
数据文档 :
PJT138L_R1_00001 数据文档
PJT138L_R1_00001 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 60V N 沟道增强型 MOSFET 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.310600 | ￥ 13.11 |
| 3000+ | ￥ 0.728100 | ￥ 2184.3 |
| 6000+ | ￥ 0.662000 | ￥ 3972 |
| 9000+ | ￥ 0.628300 | ￥ 5654.7 |
| 15000+ | ￥ 0.590400 | ￥ 8856 |
库存: 12900
起订量 :1
包装 :6-TSSOP, SC-88, SOT-363
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.3106
合计 :￥ 1.31
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 功率 - 最大:350毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:SOT-363
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:200 毫安（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4.2欧姆@200毫安，10伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15pF@15V
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