Onsemi FDMS3600S
小信号场效应晶体管
制造商型号 :FDMS3600S
制造商 :Onsemi
达森型号 :29CABE-DS
数据文档 :
FDMS3600S 数据文档
FDMS3600S 数据文档客户# :
描述 : 小信号场效应晶体管 8-PowerTDFN Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 7.284600 | ￥ 7.28 |
| 25+ | ￥ 7.156800 | ￥ 178.92 |
| 100+ | ￥ 6.837300 | ￥ 683.73 |
| 500+ | ￥ 6.581700 | ￥ 3290.85 |
| 1000+ | ￥ 6.191900 | ￥ 6191.9 |
库存: 17580
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 7.2846
合计 :￥ 7.28
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-电源TDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:2.2 瓦（功耗），2.5 瓦（功耗）
- 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
- 配置:2 N 沟道（双）不对称
- 漏源电压 ( Vdss):25伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15A（Ta）、30A（Tc）、30A（Ta）、40A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:5.6毫欧姆@15A，10V，1.6毫欧姆@30A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.7V@250µA，3V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 27nC，10V 时为 82nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1680pF @13V，5375pF @13V
- 系列:PowerTrench®
- 基本产品编号:FDMS3600
- 包装:大部分
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