Nexperia PMGD780SN,115
PMGD780SN 系列 60 V 0.92 Ohm 410 mW 双 N 通道 TrenchMOS FET - SOT-363
制造商型号 :PMGD780SN,115
制造商 :Nexperia
达森型号 :034232-DS
数据文档 :
PMGD780SN,115 数据文档
PMGD780SN,115 数据文档客户# :
描述 : PMGD780SN 系列 60 V 0.92 Ohm 410 mW 双 N 通道 TrenchMOS FET - SOT-363 SOT-323-6
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.772900 | ￥ 7.73 |
| 3000+ | ￥ 0.429400 | ￥ 1288.2 |
| 6000+ | ￥ 0.421100 | ￥ 2526.6 |
| 9000+ | ￥ 0.363000 | ￥ 3267 |
| 24000+ | ￥ 0.346300 | ￥ 8311.2 |
库存: 5824
起订量 :1
包装 :SOT-323-6
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 功率 - 最大:410毫瓦
- 供应商器件封装:6-TSSOP
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:490毫安
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:920 毫欧 @ 300 毫安，10 伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 1.05nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:23pF@30V
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