Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF
HEXFET 功率 MOSFET
制造商型号 :IRFHE4250DTRPBF
达森型号 :4052AE-DS
数据文档 :
IRFHE4250DTRPBF 数据文档
IRFHE4250DTRPBF 数据文档客户# :
描述 : HEXFET 功率 MOSFET 32-PowerVFQFN Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 97.629000 | ￥ 97.63 |
| 25+ | ￥ 95.529500 | ￥ 2388.24 |
| 100+ | ￥ 91.855200 | ￥ 9185.52 |
| 500+ | ￥ 87.656200 | ￥ 43828.1 |
| 1000+ | ￥ 82.932200 | ￥ 82932.2 |
库存: 10800
起订量 :1
包装 :32-PowerVFQFN Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 97.629
合计 :￥ 97.63
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:32-电源VFQFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:156W（热电偶）
- 供应商器件封装:32-PQFN（6x6）
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 漏源电压 ( Vdss):25伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:86A（铊）、303A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:2.75毫欧姆@27A，10V，900微欧姆@27A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.1V @ 35µA，2.1V @ 100µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 20nC，4.5V 时为 53nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1735pF @ 13V，4765pF @ 13V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRFHE4250
- 包装:大部分
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