Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1
MOSFET 模块 1200V 25A
制造商型号 :DF23MR12W1M1B11BPSA1
达森型号 :39E7D5-DS
数据文档 :
DF23MR12W1M1B11BPSA1 数据文档
DF23MR12W1M1B11BPSA1 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 模块 1200V 25A Module
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 483.147900 | ￥ 483.15 |
| 25+ | ￥ 473.499000 | ￥ 11837.48 |
| 100+ | ￥ 454.137300 | ￥ 45413.73 |
| 500+ | ￥ 434.839500 | ￥ 217419.75 |
| 1000+ | ￥ 410.685300 | ￥ 410685.3 |
库存: 1716
起订量 :1
包装 :Module
发货时间 :48小时内发货
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数量 :
单价 : ￥ 483.1479
合计 :￥ 483.15
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:模块
- 功率 - 最大:20毫瓦
- 供应商器件封装:AG-EASY1BM-2
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:碳化硅（SiC）
- 漏源电压 ( Vdss):1200伏（1.2千伏）
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:25A（结温）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:45 毫欧 @ 25A，15V（典型值）
- Vgs(th)（最大值）@ Id:5.55V@10mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:15V 时为 62nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1840pF@800V
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