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Efficient Power Conversion Corp. EPC2107
GaNFET 3 N 沟道 100V 9BGA
制造商型号 :EPC2107
达森型号 :7BC851-DS
数据文档 :
EPC2107 数据文档
EPC2107 数据文档客户# :
描述 : GaNFET 3 N 沟道 100V 9BGA 9-VFBGA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 9.866700 | ￥ 98.67 |
| 2500+ | ￥ 5.481500 | ￥ 13703.75 |
| 5000+ | ￥ 5.431500 | ￥ 27157.5 |
库存: 6202
起订量 :1
包装 :9-VFBGA Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 9.8667
合计 :￥ 9.87
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:9. VFBGA芯片
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 供应商器件封装:9-BGA（1.35x1.35）
- 配置:3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
- 漏源电压 ( Vdss):100伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1.7A，500毫安
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5V 时为 0.16nC，5V 时为 0.044nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:16pF（50V时），7pF（50V时）
- 系列:氮化镓 (eGaN)
- 基本产品编号:EPC210
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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