Diodes Incorporated DMN66D0LDWQ-7
MOSFET BVDSS：41V~60V SOT363 T&R
制造商型号 :DMN66D0LDWQ-7
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :E978BD-DS
数据文档 :
DMN66D0LDWQ-7 数据文档
DMN66D0LDWQ-7 数据文档客户# :
描述 : MOSFET BVDSS：41V~60V SOT363 T&R - Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.495600 | ￥ 4.96 |
| 3000+ | ￥ 0.275500 | ￥ 826.5 |
| 6000+ | ￥ 0.265500 | ￥ 1593 |
| 12000+ | ￥ 0.257700 | ￥ 3092.4 |
| 18000+ | ￥ 0.249900 | ￥ 4498.2 |
库存: 50400
起订量 :1
包装 :- Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.4956
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:400毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:SOT-363
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:115毫安（温度）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6欧姆@115毫安，5伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 0.9nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:29.3pF @ 25V
- 系列:汽车、AEC-Q101
- 基本产品编号:DMN66
- 包装:卷带式 (TR)
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