Diodes Incorporated DMC3016LNS-7
MOSFET 门极电压: 31V 40V POWERDI333
制造商型号 :DMC3016LNS-7
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :AAA19D-DS
数据文档 :
DMC3016LNS-7 数据文档
DMC3016LNS-7 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 门极电压: 31V 40V POWERDI333 8-PowerVDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.281300 | ￥ 4.28 |
| 10+ | ￥ 3.635900 | ￥ 36.36 |
| 100+ | ￥ 2.530400 | ￥ 253.04 |
| 500+ | ￥ 2.115100 | ￥ 1057.55 |
| 1000+ | ￥ 1.802000 | ￥ 1802 |
库存: 6489
起订量 :1
包装 :8-PowerVDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.2813
合计 :￥ 4.28
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8 电源 VDFN
- 功率 - 最大:1.3瓦（功耗）
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道互补
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:9A（电流值），6.8A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 9.5nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
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