Diodes Incorporated DMC2053UVT-13
MOSFET BVDSS：8V-24V TSOT26 T&R
制造商型号 :DMC2053UVT-13
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :EA9597-DS
数据文档 :
DMC2053UVT-13 数据文档
DMC2053UVT-13 数据文档客户# :
描述 : MOSFET BVDSS：8V-24V TSOT26 T&R SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 1.533600 | ￥ 15.34 |
| 10000+ | ￥ 0.766800 | ￥ 7668 |
| 20000+ | ￥ 0.722100 | ￥ 14442 |
| 30000+ | ￥ 0.613400 | ￥ 18402 |
| 40000+ | ￥ 0.578700 | ￥ 23148 |
库存: 48000
起订量 :1
包装 :SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.5336
合计 :￥ 1.53
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:SOT-23-6 薄型，TSOT-23-6
- 功率 - 最大:700毫瓦（功耗）
- 供应商器件封装:TSOT-23
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道互补
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4.6A（电流值），3.2A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:35毫欧@5A、4.5V、74毫欧@3.5A、4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 3.6nC，4.5V 时为 5.9nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:369pF @ 10V，440pF @ 10V
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