Alpha &Omega Semiconductor AONX38168
25V 双非对称 N 沟道 XS
制造商型号 :AONX38168
达森型号 :795FEB-DS
数据文档 :
AONX38168 数据文档
AONX38168 数据文档客户# :
描述 : 25V 双非对称 N 沟道 XS 8-VDFN Exposed Pad
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 19.170000 | ￥ 19.17 |
| 10+ | ￥ 12.422200 | ￥ 124.22 |
| 100+ | ￥ 8.583000 | ￥ 858.3 |
| 500+ | ￥ 6.942600 | ￥ 3471.3 |
库存: 3912
起订量 :1
包装 :8-VDFN Exposed Pad
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 19.17
合计 :￥ 19.17
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8-VDFN 裸露焊盘
- 功率 - 最大:3.1W（Ta）、20W（Tc）、3.2W（Ta）、69W（Tc）
- 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
- 场效应晶体管类型:2 N 沟道（双）不对称
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):25伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:25A（Ta）、62A（Tc）、50A（Ta）、85A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:3.3 毫欧姆 @ 20A，10V，0.8 毫欧姆 @ 20A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 24nC，10V 时为 85nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1.15nF @ 12.5V，4.52nF @ 12.5V
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