Wolfspeed, Inc. C2M0080120D
SICFET N 沟道 1200V 36A TO247-3
制造商型号 :C2M0080120D
制造商 :Wolfspeed, Inc.
达森型号 :D20148-DS
数据文档 :
C2M0080120D 数据文档
C2M0080120D 数据文档客户# :
描述 : SICFET N 沟道 1200V 36A TO247-3 TO-247-3 Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 5+ | ￥ 70.746200 | ￥ 353.73 |
| 10+ | ￥ 66.182500 | ￥ 661.83 |
| 15+ | ￥ 63.900000 | ￥ 958.5 |
| 22+ | ￥ 59.335600 | ￥ 1305.38 |
| 28+ | ￥ 57.053800 | ￥ 1597.51 |
库存: 9568
起订量 :1
包装 :TO-247-3 Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 70.7462
合计 :￥ 70.75
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 功率耗散（最大）:192W（锝）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):1200 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:36A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:98毫欧姆@20A，20V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4伏@5毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5 V 时 62 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1000V 时 950pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:20伏
- 电压 (最大值):+25 伏, -10 伏
- 系列:C2M™
- 基本产品编号:C2M0080120
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