Vishay Intertechnology SISH472DN-T1-GE3
MOSFET N 沟道 30V 15A/20A PPAK
制造商型号 :SISH472DN-T1-GE3
达森型号 :6EB3E3-DS
数据文档 :
SISH472DN-T1-GE3 数据文档
SISH472DN-T1-GE3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 15A/20A PPAK PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 2.731400 | ￥ 27.31 |
| 3000+ | ￥ 1.517300 | ￥ 4551.9 |
| 6000+ | ￥ 1.437800 | ￥ 8626.8 |
| 9000+ | ￥ 1.331300 | ￥ 11981.7 |
| 30000+ | ￥ 1.317800 | ￥ 39534 |
库存: 11100
起订量 :1
包装 :PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 2.7314
合计 :￥ 2.73
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:PowerPAK® 1212-8SH
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8SH
- 功率耗散（最大）:3.5 瓦（温度特性），28 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15A（Ta），20A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:15A、10V 时为 8.9 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 30 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15 V 时 997 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:TrenchFET®
- 基本产品编号:西施472
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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