Vishay Intertechnology SI5441BDC-T1-E3
MOSFET P 通道 20V 4.4A 1206-8
制造商型号 :SI5441BDC-T1-E3
达森型号 :7AD691-DS
数据文档 :
SI5441BDC-T1-E3 数据文档
SI5441BDC-T1-E3 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P 通道 20V 4.4A 1206-8 8-SMD, Flat Lead
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 16.046000 | ￥ 16.05 |
| 10+ | ￥ 13.163400 | ￥ 131.63 |
| 100+ | ￥ 10.239600 | ￥ 1023.96 |
| 500+ | ￥ 8.679800 | ￥ 4339.9 |
| 1000+ | ￥ 7.070900 | ￥ 7070.9 |
库存: 1885
起订量 :1
包装 :8-SMD, Flat Lead
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 16.046
合计 :￥ 16.05
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8-SMD，扁平引线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:1206-8 ChipFET™
- 功率耗散（最大）:1.3瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4.4A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4.4A、4.5V 时为 45 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时为 22 纳克
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:2.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):±12V
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