Qorvo, Inc. UF3N170400B7S
JFET 1700V 碳化硅
制造商型号 :UF3N170400B7S
制造商 :Qorvo, Inc.
达森型号 :8AEF89-DS
数据文档 :
UF3N170400B7S 数据文档
UF3N170400B7S 数据文档客户# :
描述 : JFET 1700V 碳化硅 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 55.081800 | ￥ 55.08 |
| 10+ | ￥ 46.455300 | ￥ 464.55 |
| 100+ | ￥ 37.764900 | ￥ 3776.49 |
| 500+ | ￥ 32.780700 | ￥ 16390.35 |
| 800+ | ￥ 32.716800 | ￥ 26173.44 |
库存: 8404
起订量 :1
包装 :TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 55.0818
合计 :￥ 55.08
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- 类型:分立半导体器件/晶体管
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:TO-263-8，D²Pak（7 根引线 + 接片），TO-263CA
- 功率 - 最大:68 瓦
- 供应商器件封装:D2PAK-7
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):1700 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:225pF @ 100V
- 击穿电压 ( V( B R) G S S):1700 伏
- 电流 - 漏极 ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):1700 V 时为 2.2 µA
- 最大电流消耗 ( Id):6.8 一个
- 电阻—— R D S( On):500 毫欧
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