Toshiba TK25N60X,S1F
MOSFET N 沟道 600V 25A TO247
制造商型号 :TK25N60X,S1F
制造商 :Toshiba
达森型号 :C70CAB-DS
数据文档 :
TK25N60X,S1F 数据文档
TK25N60X,S1F 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 600V 25A TO247 TO-247-3
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 27.796500 | ￥ 27.8 |
| 30+ | ￥ 21.981600 | ￥ 659.45 |
| 120+ | ￥ 18.339300 | ￥ 2200.72 |
| 270+ | ￥ 18.211500 | ￥ 4917.11 |
| 510+ | ￥ 16.741800 | ￥ 8538.32 |
库存: 1618
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 27.7965
合计 :￥ 27.80
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-247
- 功率耗散（最大）:180瓦（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):600 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:25A（钽）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:125毫欧姆@7.5A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3.5V @ 1.2mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 40 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2400 pF @ 300 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
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