Toshiba TK1R5R04PB,LXGQ
MOSFET N 沟道 40V 160A D2PAK
制造商型号 :TK1R5R04PB,LXGQ
制造商 :Toshiba
达森型号 :79C2AF-DS
数据文档 :
TK1R5R04PB,LXGQ 数据文档
TK1R5R04PB,LXGQ 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 40V 160A D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 16.102800 | ￥ 16.1 |
| 10+ | ￥ 13.355100 | ￥ 133.55 |
| 100+ | ￥ 10.671300 | ￥ 1067.13 |
| 250+ | ￥ 10.096200 | ￥ 2524.05 |
| 500+ | ￥ 9.009900 | ￥ 4504.95 |
库存: 22148
起订量 :1
包装 :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 16.1028
合计 :￥ 16.10
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:D2PAK+
- 功率耗散（最大）:205瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):40 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:160A（钽）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.5毫欧姆@80A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 500µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时 103 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:5500 pF @ 10 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:6伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:韓式硬體
- 基本产品编号:TK1R5R04
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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