Toshiba TJ50S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
制造商型号 :TJ50S06M3L(T6L1,NQ
制造商 :Toshiba
达森型号 :A7E681-DS
数据文档 :
TJ50S06M3L(T6L1,NQ 数据文档
TJ50S06M3L(T6L1,NQ 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 9.536000 | ￥ 95.36 |
| 2000+ | ￥ 6.357300 | ￥ 12714.6 |
| 4000+ | ￥ 5.920700 | ￥ 23682.8 |
| 6000+ | ￥ 5.403800 | ￥ 32422.8 |
| 8000+ | ￥ 4.688100 | ￥ 37504.8 |
库存: 24053
起订量 :1
包装 :TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 9.536
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:DPAK+
- 功率耗散（最大）:90瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:50A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:13.8 毫欧姆 @ 25A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 124 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时 6290pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:6伏、10伏
- 电压 (最大值):+10 伏, -20 伏
- 系列:金属氧化物半导体场
- 基本产品编号:TJ50S06
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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