Texas Instruments CSD22205LT
-8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、栅极 ESD 保护
制造商型号 :CSD22205LT
制造商 :Texas Instruments
达森型号 :62F19C-DS
数据文档 :
CSD22205LT 数据文档
CSD22205LT 数据文档客户# :
描述 : -8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单个 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、栅极 ESD 保护 4-XFLGA
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| 数量 | 单价 | 合计 |
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起订量 :1
包装 :4-XFLGA
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:4-XFLGA
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:4-皮科斯塔
- 功率耗散（最大）:600毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):8 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:7.4A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:9.9毫欧@1A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.05V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 8.5 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1390 pF（4 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:1.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):-6伏
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