STMicroelectronics STL62P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
制造商型号 :STL62P3LLH6
制造商 :STMicroelectronics
达森型号 :22129B-DS
数据文档 :
STL62P3LLH6 数据文档
STL62P3LLH6 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 14.800700 | ￥ 148.01 |
| 3000+ | ￥ 8.222500 | ￥ 24667.5 |
| 6000+ | ￥ 7.830600 | ￥ 46983.6 |
| 9000+ | ￥ 7.469200 | ￥ 67222.8 |
库存: 701
起订量 :1
包装 :8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 14.8007
合计 :￥ 14.80
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8 电源 VDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:PowerFlat™ (5x6)
- 功率耗散（最大）:100 瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:62A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:10.5毫欧@7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1V @ 250µA（最小值）
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时 33 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:3350 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:STripFET™ H6
- 基本产品编号:STL62
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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