STMicroelectronics STGP20M65DF2
IGBT 沟槽晶体管 650V 40A TO220
制造商型号 :STGP20M65DF2
制造商 :STMicroelectronics
达森型号 :C4E63E-DS
数据文档 :
STGP20M65DF2 数据文档
STGP20M65DF2 数据文档客户# :
描述 : IGBT 沟槽晶体管 650V 40A TO220 TO-220-3 Tube
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 7.220700 | ￥ 7.22 |
| 10+ | ￥ 6.645600 | ￥ 66.46 |
| 100+ | ￥ 6.064100 | ￥ 606.41 |
| 500+ | ￥ 5.489000 | ￥ 2744.5 |
| 1000+ | ￥ 4.907500 | ￥ 4907.5 |
库存: 47086
起订量 :1
包装 :TO-220-3 Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 7.2207
合计 :￥ 7.22
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:166 瓦
- 供应商器件封装:TO-220
- 反向恢复时间 (trr):166纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:40 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2伏@15伏，20安
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):80 一
- 转换能源:140µJ（开启），560µJ（关闭）
- 栅极电荷:63纳克
- Td（开/关）@25° C:26纳秒/108纳秒
- 测试条件:400V，20A，12欧姆，15V
- 系列:米
- 基本产品编号:STGP20
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