ROHM Semiconductor TT8U2TR
MOSFET P 通道 20V 2.4A 8TSST
制造商型号 :TT8U2TR
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :4E4800-DS
数据文档 :
TT8U2TR 数据文档
TT8U2TR 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P 通道 20V 2.4A 8TSST 8-SMD, Flat Lead
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 3.131100 | ￥ 3.13 |
| 100+ | ￥ 2.268500 | ￥ 226.85 |
| 500+ | ￥ 1.782800 | ￥ 891.4 |
| 1000+ | ￥ 1.380200 | ￥ 1380.2 |
| 3000+ | ￥ 0.984100 | ￥ 2952.3 |
库存: 1600
起订量 :1
包装 :8-SMD, Flat Lead
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 3.1311
合计 :￥ 3.13
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:8-SMD，扁平引线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-三硫脲
- 功率耗散（最大）:1.25瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 场效应晶体管特性:肖特基二极管（隔离）
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:2.4A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:2.4A、4.5V 时为 105 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1伏@1毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时为 6.7 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时 850pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:1.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):±10V
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