ROHM Semiconductor RTR025N03HZGTL
MOSFET Nch 30V 2.5A 小信号 MOSFET。RTR025N03HZG 是高可靠性汽车级晶体管，适用于开关应用。
制造商型号 :RTR025N03HZGTL
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :53AEF0-DS
数据文档 :
RTR025N03HZGTL 数据文档
RTR025N03HZGTL 数据文档客户# :
描述 : MOSFET Nch 30V 2.5A 小信号 MOSFET。RTR025N03HZG 是高可靠性汽车级晶体管，适用于开关应用。 SOT-23-3L
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 6.364400 | ￥ 6.36 |
| 20+ | ￥ 2.926600 | ￥ 58.53 |
| 50+ | ￥ 1.706100 | ￥ 85.31 |
| 100+ | ￥ 1.297200 | ￥ 129.72 |
| 300+ | ￥ 1.022400 | ￥ 306.72 |
库存: 19487
起订量 :1
包装 :SOT-23-3L
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:SC-96
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TSMT3
- 功率耗散（最大）:700毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:2.5A（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:2.5A、4.5V 时为 92 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.6 纳克 @ 4.5 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时 220pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:2.5伏、4.5伏
- 电压 (最大值):±12V
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