ROHM Semiconductor RGW00TS65DGC11
650V 50A 场截止沟槽 IGBT
制造商型号 :RGW00TS65DGC11
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :03DE72-DS
数据文档 :
RGW00TS65DGC11 数据文档
RGW00TS65DGC11 数据文档客户# :
描述 : 650V 50A 场截止沟槽 IGBT TO-247-3
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 132.202000 | ￥ 132.2 |
| 10+ | ￥ 72.718200 | ￥ 727.18 |
| 50+ | ￥ 65.433600 | ￥ 3271.68 |
| 100+ | ￥ 51.943600 | ￥ 5194.36 |
| 500+ | ￥ 46.746400 | ￥ 23373.2 |
库存: 1510
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 132.202
合计 :￥ 132.20
帮助您节省成本和时间。
严格的质量检验和可靠的包装。
快速可靠的交付，节省时间。
提供365天保修售后服务
- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:254 瓦
- 供应商器件封装:TO-247N
- 反向恢复时间 (trr):95纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:96 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:1.9V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):200 一
- 转换能源:1.18mJ（开启），960µJ（关闭）
- 栅极电荷:141纳克
- Td（开/关）@25° C:52纳秒/180纳秒
- 测试条件:400V，50A，10欧姆，15V
为您推荐
购物指导
1.登录或以访客身份
2.加入购物车
3. 下订单
4.结账
5. 订单物流追踪
您可以在注册后下订单或以访客身份直接购买产品。
2.加入购物车
通过搜索找到您需要的产品。然后直接将产品添加到您的购物车。
3. 下订单
下单时请填写收货地址和快递信息。如需指定物流快递，请备注或联系我们。
4.结账
您可以直接在网站线上支付订单：微信支付、支付宝，也可以通过线下转账支付：银行转账（收款账户请查看线下支付）。
5. 订单物流追踪
我们将在24小时内发货您的订单并向您提供物流单号，您可以在网站上查看订单信息或联系我们的销售人员进行跟踪。
我们可以快速满足客户对电子元件的需求，即使是市场上稀缺的元件。
相关产品
