ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11
IGBT 沟道场 650V 39A TO3PFM
制造商型号 :RGTV80TK65DGVC11
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :E41D40-DS
数据文档 :
RGTV80TK65DGVC11 数据文档
RGTV80TK65DGVC11 数据文档客户# :
描述 : IGBT 沟道场 650V 39A TO3PFM TO-3PFM, SC-93-3 Tube
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 43.196400 | ￥ 43.2 |
| 10+ | ￥ 37.062000 | ￥ 370.62 |
| 25+ | ￥ 35.145000 | ￥ 878.63 |
| 100+ | ￥ 30.863700 | ￥ 3086.37 |
| 250+ | ￥ 29.841300 | ￥ 7460.33 |
库存: 1950
起订量 :1
包装 :TO-3PFM, SC-93-3 Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 43.1964
合计 :￥ 43.20
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-3PFM，SC-93-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:85 瓦
- 供应商器件封装:TO-3PFM
- 反向恢复时间 (trr):101纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:三十九 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:1.9V @ 15V，40A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):160 一
- 转换能源:1.02mJ（开启），710µJ（关闭）
- 栅极电荷:81纳克
- Td（开/关）@25° C:39纳秒/113纳秒
- 测试条件:400V，40A，10欧姆，15V
- 基本产品编号:RGTV80
- 包装:管子
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