ROHM Semiconductor RGTV00TS65DGC11
650V 50A 场截止沟槽 IGBT
制造商型号 :RGTV00TS65DGC11
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :6AB73F-DS
数据文档 :
RGTV00TS65DGC11 数据文档
RGTV00TS65DGC11 数据文档客户# :
描述 : 650V 50A 场截止沟槽 IGBT TO-247-3
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 24.684600 | ￥ 24.68 |
| 10+ | ￥ 20.243500 | ￥ 202.44 |
| 50+ | ￥ 16.032500 | ￥ 801.63 |
| 100+ | ￥ 15.233800 | ￥ 1523.38 |
| 500+ | ￥ 14.185800 | ￥ 7092.9 |
库存: 1946
起订量 :1
包装 :TO-247-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 24.6846
合计 :￥ 24.68
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-247-3
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:276 瓦
- 供应商器件封装:TO-247N
- 反向恢复时间 (trr):102纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:95 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:650 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:1.9V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):200 一
- 转换能源:1.17mJ（开启），940µJ（关闭）
- 栅极电荷:104纳克
- Td（开/关）@25° C:41纳秒/142纳秒
- 测试条件:400V，50A，10欧姆，15V
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