ROHM Semiconductor EMD4T2R
68@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - 预偏置 150mW 100mA 50V 500nA EMT-6 数字晶体管
制造商型号 :EMD4T2R
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :913BF1-DS
数据文档 :
EMD4T2R 数据文档
EMD4T2R 数据文档客户# :
描述 : 68@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - 预偏置 150mW 100mA 50V 500nA EMT-6 数字晶体管 EMT-6
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 2.364300 | ￥ 2.36 |
| 10+ | ￥ 1.885100 | ￥ 18.85 |
| 100+ | ￥ 1.048000 | ￥ 104.8 |
| 1000+ | ￥ 0.658200 | ￥ 658.2 |
| 8000+ | ￥ 0.530400 | ￥ 4243.2 |
库存: 57600
起订量 :1
包装 :EMT-6
发货时间 :48小时内发货
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 产品状态:积极的
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:SOT-563, SOT-666
- 功率 - 最大:150毫瓦
- 供应商器件封装:紧急医疗运输6
- 晶体管类型:1 NPN，1 PNP - 预偏置（双）
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:100毫安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:50伏
- Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic:300mV@500µA，10mA / 300mV@250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500纳安
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:68 @ 5 毫安，5 伏
- 频率 - 过渡:250兆赫
- 电阻器-基极（ R1）:47千欧姆，10千欧姆
- 电阻器 - 发射极基极（ R2）:47千欧姆
- 基本产品编号:EMD4T2
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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