ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LAE2
100 V VB 3.5 A/4.5 A 峰值电流
制造商型号 :BD2320EFJ-LAE2
制造商 :ROHM Semiconductor
达森型号 :E7E8C1-DS
数据文档 :
BD2320EFJ-LAE2 数据文档

客户# :
描述 : 100 V VB 3.5 A/4.5 A 峰值电流 Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),®
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数量 | 单价 | 合计 |
1+ | ¥ 21.214800 | ¥ 21.21 |
10+ | ¥ 13.610700 | ¥ 136.11 |
50+ | ¥ 11.629800 | ¥ 581.49 |
100+ | ¥ 9.329400 | ¥ 932.94 |
200+ | ¥ 8.882100 | ¥ 1776.42 |
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- 类型:集成电路(IC)/功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动器
- 产品状态:积极的
- 封装/箱体:8-SOIC(0.154、3.90mm 宽)裸露焊盘
- 工作温度:-40℃~125℃(环境温度)
- 电压供应:7.5V~14.5V
- 输入类型:非反相
- 通道类型:独立的
- 门类型:沟道 MOSFET
- 司机人数:2
- 上升/下降时间(典型值):8纳秒,6纳秒
- 驱动配置:高端和低端
- 逻辑电压- V I L V I H:1.7伏、1.5伏
- 电流峰值输出(源极吸收极):3.5A、4.5A
- 高压侧最大电压(自举电路):100 伏
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