Rochester Electronics SFI9Z14TU
P 沟道功率 MOSFET
制造商型号 :SFI9Z14TU
达森型号 :D207BE-DS
数据文档 :
SFI9Z14TU 数据文档
SFI9Z14TU 数据文档客户# :
描述 : P 沟道功率 MOSFET TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Bulk
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.107400 | ￥ 1.11 |
| 25+ | ￥ 1.085000 | ￥ 27.13 |
| 100+ | ￥ 1.040900 | ￥ 104.09 |
| 500+ | ￥ 0.996800 | ￥ 498.4 |
| 1000+ | ￥ 0.941200 | ￥ 941.2 |
库存: 9000
起订量 :1
包装 :TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.1074
合计 :￥ 1.11
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:I2PAK（TO-262）
- 功率耗散（最大）:3.8 瓦（温度特性），38 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6.7A（温度系数）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:500 毫欧 @ 3.4A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 11 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:350 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
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